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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
専門委員長　荒井滋久　　副委員長　東盛裕一
幹事　横内則之，吉村了行

日時　2004年12月 3日(金)　10：05～16：55

会場機械振興会館 6階65号室（〒105-0011 東京都港区芝公園３－５－８．http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm）

議題半導体レーザ関連技術，及び一般

12月3日(金) 午前（10：00～12：10）

−−−　開会挨拶　（ 5分）　−−−

(1) 10:05 - 10:30
金属ナノ開口面発光レーザのプローブ特性の表面プラズモン増強
○橋爪滋郎・小山二三夫（東工大）

(2) 10:30 - 10:55
半導体フォトニック準結晶レーザの実証とレート方程式解析
○野崎謙悟・馬場俊彦（横浜国大）

(3) 10:55 - 11:20
InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性
○井手利英・馬場俊彦（横浜国大）・館林　潤・岩本　敏・中岡俊裕・荒川泰彦（東大）

(4) 11:20 - 11:45
光通信用アンチモン系量子ドット面発光レーザ(QD-VCSEL)の開発
○山本直克・赤羽浩一・牛頭信一郎・上田章雄・大谷直毅（NICT）

(5) 11:45 - 12:10
1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振
○山田みつき・阿南隆由・畠山　大・徳留圭一・鈴木尚文・中村隆宏・西　研一（NEC）

−−−　昼食　（ 70分）　−−−

12月3日(金) 午後（13：20～16：55）

(6) 13:20 - 13:50
［招待講演］ISLC2004報告
○吉國裕三（NTT）

(7) 13:50 - 14:30
［招待講演］三角孔を有する高出力単一横モード面発光レーザ
○古川昭夫・佐々木　智・星　光成・松園淳史（ソニー）・森藤康輔・馬場俊彦（横浜国大）

(8) 14:30 - 14:55
波長可変光源の線幅特性の改善
○木本竜也・黒部立郎・村主賢悟・向原智一（古河電工）

−−−　休憩　（ 20分）　−−−

(9) 15:15 - 15:40
MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振
○館林　潤・羽鳥伸明・石田　充・江部広治（東大）・須藤久男・倉又朗人（富士通研）・菅原　充・荒川泰彦（東大）

(10) 15:40 - 16:05
中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー
○大谷啓太・大野英男（東北大）

(11) 16:05 - 16:30
液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力２波長レーザの開発
○東條友昭・山中一彦・小野澤和利・シングビラハムパル・上田大助（松下電器）・曽我育生・前澤浩一・水谷　孝（名大）

(12) 16:30 - 16:55
InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析
○竹下達也・須郷　満・佐々木　徹・東盛裕一（NTT）

−−−　閉会挨拶　（ 5分）　−−−

◆レーザ学会共催

☆LQE研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

2005年1月26日(水)～28日(金)　大阪大学　[11月12日(金)]　テーマ：光集積回路／素子、スイッチング、ＰＬＣ、ファイバ型デバイス、導波路解析、一般

【問合先】
横内則之（古河電工）
TEL 045-311-1219, FAX 045-314-5190
E-mail: n