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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 葛原 正明 副委員長 橋詰 保 幹事 高谷 信一郎， 新井 学 幹事補佐 原 直紀， 村田 浩一 日時 2007年 6月15日(金) 13：00～17：30 2007年 6月16日(土) 09：30～12：25 会場 富山大学 工学部 五福キャンパス（〒930-8555 富山市五福３１９０番地．バス：富山空港からJR富山駅まで約20分、JR富山駅から約20分．http://www.u-toyama.ac.jp/jp/access/gofuku/index.html．前澤 宏一） 議題 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 6月15日(金) 午後 （13：00～17：30） (1) 13:00 - 13:25 低コストプロセスで作製した0.10umGaAs MESFET ○渡邉昌崇・福士大地・矢野 浩・中島 成（ユーディナデバイス） (2) 13:25 - 13:50 ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ～ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ～ ○天清宗山・井上 晃・後藤清毅・國井徹郎・山本佳嗣・奥 友希・石川高英（三菱電機） (3) 13:50 - 14:15 デルタドープGaAs構造における局在スピンの研究 ○J.p. Noh・鄭 大原・A. z. m. Touhidul Islam・大塚信雄（北陸先端大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (4) 14:25 - 14:50 InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 ○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大） (5) 14:50 - 15:15 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長 ○村田和範・ノルスルヤティ ビンティ アハド・田村 悠・森 雅之・丹保豊和・前澤宏一（富山大） (6) 15:15 - 15:40 Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成 ○斉藤光史・森 雅之・山下勇司・丹保豊和・前澤宏一（富山大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (7) 15:50 - 16:15 コレクタ層内にSiO2細線を埋め込んだHBTのDC特性 ○高橋新之助・三浦 司・山下浩明（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） (8) 16:15 - 16:40 MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード ○杉山弘樹・松崎秀昭・小田康裕・横山春喜・榎木孝知・小林 隆（NTT） (9) 16:40 - 17:05 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討 ○須原理彦・植木絵理・奥村次徳（首都大東京） (10) 17:05 - 17:30 導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御 ○山口雅史・横井美典（名大）・高木英俊（宇部高専）・澤木宣彦（名大） 6月16日(土) 午前 （09：30～12：25） (11) 09:30 - 10:10 ［招待講演］金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 ○塩島謙次（福井大） (12) 10:10 - 10:35 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化 ○塩崎奈々子・橋詰 保（北大） (13) 10:35 - 11:00 AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） (14) 11:00 - 11:25 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究 ○野本一貴・田島 卓（法政大）・三島友義（日立電線）・佐藤政孝・中村 徹（法政大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (15) 11:35 - 12:00 Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性 ○佐藤政孝・宮川晋悟・工藤尚宏・永田翔平・田島 卓・中村 徹（法政大） (16) 12:00 - 12:25 バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性 ○小野修一・新井 学（新日本無線） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 30 分 ＋ 質疑応答 10 分 ◎６月１５日研究会終了後、懇親会を予定していますので御参加下さい。 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月25日(月)～27日(水) Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 [4月12日(木)] テーマ：第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ 8月3日(金) 大阪大学 吹田キャンパス 銀杏会館 [5月22日(火)] テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 9月21日(金) 九州工業大学 飯塚キャンパス [7月18日(水)] テーマ：センサーデバイス・MEMS・一般 【問合先】 田中 毅（松下電器） TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110 E-mail:     erl  ci 新井 学（新日無） TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419 E-mail:   injr高谷 信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-mail:   crl  村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-mail：  aecl Last modified: 2007-04-26 21:39:47 |
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