6月15日(金) 午後
13:00 - 17:30 |
| (1) |
13:00-13:25 |
低コストプロセスで作製した0.10umGaAs MESFET |
○渡邉昌崇・福士大地・矢野 浩・中島 成（ユーディナデバイス） |
| (2) |
13:25-13:50 |
ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ～ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ～ |
○天清宗山・井上 晃・後藤清毅・國井徹郎・山本佳嗣・奥 友希・石川高英（三菱電機） |
| (3) |
13:50-14:15 |
デルタドープGaAs構造における局在スピンの研究 |
○J.p. Noh・鄭 大原・A. z. m. Touhidul Islam・大塚信雄（北陸先端大） |
| |
14:15-14:25 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
14:25-14:50 |
InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 |
○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大） |
| (5) |
14:50-15:15 |
2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長 |
○村田和範・ノルスルヤティ ビンティ アハド・田村 悠・森 雅之・丹保豊和・前澤宏一（富山大） |
| (6) |
15:15-15:40 |
Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成 |
○斉藤光史・森 雅之・山下勇司・丹保豊和・前澤宏一（富山大） |
| |
15:40-15:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (7) |
15:50-16:15 |
コレクタ層内にSiO2細線を埋め込んだHBTのDC特性 |
○高橋新之助・三浦 司・山下浩明（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） |
| (8) |
16:15-16:40 |
MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード |
○杉山弘樹・松崎秀昭・小田康裕・横山春喜・榎木孝知・小林 隆（NTT） |
| (9) |
16:40-17:05 |
共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討 |
○須原理彦・植木絵理・奥村次徳（首都大東京） |
| (10) |
17:05-17:30 |
導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御 |
○山口雅史・横井美典（名大）・高木英俊（宇部高専）・澤木宣彦（名大） |
6月16日(土) 午前
09:30 - 12:25 |
| (11) |
09:30-10:10 |
［招待講演］金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 |
○塩島謙次（福井大） |
| (12) |
10:10-10:35 |
光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化 |
○塩崎奈々子・橋詰 保（北大） |
| (13) |
10:35-11:00 |
AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション |
○田中成明（北陸先端大）・住田行常（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） |
| (14) |
11:00-11:25 |
低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究 |
○野本一貴・田島 卓（法政大）・三島友義（日立電線）・佐藤政孝・中村 徹（法政大） |
| |
11:25-11:35 |
休憩 （ 10分 ） |
| (15) |
11:35-12:00 |
Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性 |
○佐藤政孝・宮川晋悟・工藤尚宏・永田翔平・田島 卓・中村 徹（法政大） |
| (16) |
12:00-12:25 |
バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性 |
○小野修一・新井 学（新日本無線） |
: 
erl
c
i
