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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 松尾 慎治 (NTT) 副委員長 近藤 正彦 (阪大) 幹事 田中 有 (富士通研)， 有賀 博 (三菱電機) 日時 2013年12月13日(金) 09：30～17：05 会場 機械振興会館（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．ＪＲ浜松町駅から徒歩15分または東京メトロ日比谷線神谷町駅から徒歩8分．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html） 議題 半導体レーザ関連技術,及び一般 12月13日(金) 午前 （09：30～17：05） −−− 副委員長挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 09:35 - 10:00 Design of Capsule-Shaped Cavity for Nanometallic Semiconductor Lasers ○Baifu Zhang・Takuya Okimoto・Takuo Tanemura・Yoshiaki Nakano（Univ. of Tokyo） (2) 10:00 - 10:25 液体ガラスを用いた量子井戸混晶化とその面発光レーザ応用に関する研究 ○阿久津友宏・牛尾拓也・菊池麻子・松谷晃宏・宮本智之（東工大） (3) 10:25 - 10:50 マイクロマシンを用いたアサーマル面発光レーザの波長掃引特性 ○中濱正統・佐野勇人・坂口孝浩・松谷晃宏・小山二三夫（東工大） (4) 10:50 - 11:15 オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの消費電力検討 ○平谷拓生・土居恭平・厚地祐輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） (5) 11:15 - 11:40 InP/Siハイブリッド光デバイスにおける複数機能一括貼り付け形成のための構造検討 ○鈴木純一・福田渓太・林 侑介・姜 晙炫・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大） −−− 昼食 （ 80分 ） −−− −−− LQE奨励賞表彰式 （ 10分 ） −−− (6) 13:10 - 13:35 ［奨励講演］オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展 ○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・平谷拓生・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） (7) 13:35 - 14:00 ［奨励講演］不等間隔アレイ型チューナブルLDを用いた背面波長モニタ ○望月敬太・有賀 博（三菱電機） (8) 14:00 - 14:25 歪補償多重積層InAs量子ドットを用いた1.55um帯半導体光増幅器 ○赤羽浩一・山本直克・梅沢俊匡・菅野敦史・呂 國偉・川西哲也（NICT） (9) 14:25 - 14:50 全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板を用いた1550 nm帯20層積層QD-SOAの特性評価 ○松本 敦・松下明日香・武井勇樹（早大）・赤羽浩一（NICT）・松島裕一・宇高勝之（早大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (10) 15:00 - 17:00 パネルディスカッション 題目：データセンターにおける光インターコネクションの将来 ～ポストVCSELはVCSELかシリコンフォトニクスか～ −−− 委員長挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎今回の研究会では，H24年度LQE奨励賞の表彰式および受賞記念講演が行われます． ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2014年1月23日(木)～24日(金) 同志社大学（烏丸キャンパス） [11月1日(金)] テーマ：光-無線融合NW、新周波数（波長）帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般 【問合先】 田中 有（富士通研究所） TEL 046-250-8251, FAX 046-250-8146 E-mail:  _          有賀 博 （三菱電機） TEL 0467-41-2906，FAX 0467-41-2519 E-mail: A   Hi  abMibiElect c ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2013-10-17 18:13:06 |
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