5月17日(木) 午後 Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用
座長: 大野雄高（名大）
13:00 - 15:20 |
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13:00-13:40 |
［招待講演］一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 |
○牧原克典（名大）・池田弥央（広島大）・宮崎誠一（名大） |
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13:40-14:05 |
高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 |
○深見太志・浦上法之・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） |
| (3) |
14:05-14:30 |
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 |
○伊藤宏成・熊谷啓助・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） |
| (4) |
14:30-14:55 |
Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 |
○久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） |
| (5) |
14:55-15:20 |
MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性 |
高木達也・華 俊辰・宮原 亮・○高野 泰（静岡大） |
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15:20-15:30 |
休憩 （ 10分 ） |
5月17日(木) 午後 センサ
座長: 市村正也（名工大）
15:30 - 17:10 |
| (6) |
15:30-15:55 |
MEMSファブリペロー干渉計を用いた表面応力センサによる非標識たんぱく質検出 |
○高橋一浩・大山泰生・三澤宣雄・奥村弘一・石田 誠・澤田和明（豊橋技科大） |
| (7) |
15:55-16:20 |
γ-Al2O3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性 |
○尾崎勝弥・西村将人・鈴木啓佑・沼田泰幸（豊橋技科大）・岡田長也（本多電子）・赤井大輔・石田 誠（豊橋技科大） |
| (8) |
16:20-16:45 |
光化学堆積SnO2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作 |
○オ ドンボリル・森口幸久・市村正也（名工大） |
| (9) |
16:45-17:10 |
Ga2O3酸素センサの作製と評価 |
○以西雅章・山本貴弘・鳥井琢磨（静岡大） |
5月18日(金) 午前 FET、界面・結晶評価
座長: 高野泰（静大）
09:00 - 10:15 |
| (10) |
09:00-09:25 |
半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化 |
○柏野壮志・平井 準・池田俊介・藤松基彦・宮本恭幸（東工大） |
| (11) |
09:25-09:50 |
ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価 |
○谷田部然治・堀 祐臣・金 聖植・橋詰 保（北大） |
| (12) |
09:50-10:15 |
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 |
○加地 徹・上杉 勉（豊田中研） |
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10:15-10:25 |
休憩 （ 10分 ） |
5月18日(金) 午前 ワイドギャップおよびGe（成長・評価・物性）
座長: 宮本恭幸（東工大）
10:25 - 12:05 |
| (13) |
10:25-10:50 |
N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討 |
○永本勇矢・松岡勝彦・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） |
| (14) |
10:50-11:15 |
金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み |
○阿部克也・牛草遼平・坂口優也・周 澤宇・山上朋彦（信州大） |
| (15) |
11:15-11:40 |
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 |
○吉原一輝・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） |
| (16) |
11:40-12:05 |
SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価 |
○山羽 隆・中塚 理（名大）・木下恭一・依田眞一（JAXA）・財満鎭明（名大） |
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12:05-13:00 |
昼食 （ 55分 ） |
5月18日(金) 午後 酸化物（成膜・評価）、電子源
座長: 岡田浩（豊橋技科大）
13:00 - 14:40 |
| (17) |
13:00-13:25 |
第一原理計算によりもとめたCdS/Cu2ZnSnS4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性 |
○ホウ ウジスグリム・市村正也（名工大） |
| (18) |
13:25-13:50 |
Electrodeposition of Ga2O3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions |
○Junie Jhon M. Vequizo・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） |
| (19) |
13:50-14:15 |
電気化学堆積Cu2O薄膜へのH2O2処理 |
○宋 瑛・市村正也（名工大） |
| (20) |
14:15-14:40 |
柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価 |
○竹内大智・牧原克典（名大）・池田弥央（広島大）・宮崎誠一（名大）・可貴裕和・林 司（日新電機） |
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14:40-14:50 |
休憩 （ 10分 ） |
5月18日(金) 午後 光材料・デバイス
座長: 山口雅史（名大）
14:50 - 16:30 |
| (21) |
14:50-15:15 |
スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 |
○丹羽彬夫・以西雅章・中村光宏・野口貴史（静岡大） |
| (22) |
15:15-15:40 |
TiO2薄膜の光触媒特性向上のための助触媒効果 |
○以西雅章・中村郁太・稗田祐貴・深澤史也（静岡大）・星 陽一（東京工芸大） |
| (23) |
15:40-16:05 |
静電マイクロアクチュエータを用いたサブ波長格子可変カラーフィルタ |
○本間浩章・宮尾 肇・高橋一浩・石田 誠・澤田和明（豊橋技科大） |
| (24) |
16:05-16:30 |
WGMを介した光周波数信号伝達の検討 |
○福原誠史・ユー イエンリン・相原卓磨・中川恭平・山下裕隆（豊橋技科大）・山口堅三（香川大）・福田光男（豊橋技科大） |
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