8月17日(木) 午前
09:05 - 10:45 |
| (1) |
09:05-09:30 |
マトリックス型超並列SIMDプロセッサ向けデータ変換バスブリッジの開発 |
○谷崎哲志・行天隆幸・野田英行・中島雅美・水本勝也・堂阪勝己（ルネサステクノロジ） |
| (2) |
09:30-09:55 |
0.79mm2 29mw リアルタイム顔位置検出 IP コア |
○堀 友一・黒田忠広（慶大） |
| (3) |
09:55-10:20 |
低消費電力向け電源電圧調整手法とマルチVth CMOSを使用したSOCへの応用 |
○岡野 廣・塩田哲義・川辺幸仁（富士通研）・柴本 亘（富士通）・橋本鉄太郎・井上淳樹（富士通研） |
| (4) |
10:20-10:45 |
1 out of 4符号を用いた低消費電力非同期式回路設計 |
○藤井智弘・今井 雅・中村 宏・南谷 崇（東大） |
| |
10:45-10:55 |
休憩 （ 10分 ） |
8月17日(木) 午前
10:55 - 12:35 |
| (5) |
10:55-11:20 |
ランプ波形分割方式を用いたオンチップサンプリングオシロスコープ |
○稲垣賢一（東大）・ダナルドノ ドゥイ アントノ（ソニー）・高宮 真（東大）・熊代成孝（NECエレクトロニクス）・桜井貴康（東大） |
| (6) |
11:20-11:45 |
広範囲な活性化エネルギーに適応可能なCMOS品質劣化モニタセンサLSI |
○上野憲一・廣瀬哲也・浅井哲也・雨宮好仁（北大） |
| (7) |
11:45-12:10 |
サブスレッショルドMOSFETを用いた温度検出スイッチ回路 |
○萩原淳史・廣瀬哲也・浅井哲也・雨宮好仁（北大） |
| (8) |
12:10-12:35 |
MOS容量による電圧増幅を用いた超低消費電力・低雑音増幅器 |
○村上智敏・佐々木 守・岩田 穆（広島大） |
| |
12:35-13:30 |
昼食 （ 55分 ） |
8月17日(木) 午後
13:30 - 15:35 |
| (9) |
13:30-14:20 |
［特別招待講演］SOI技術による7.5μｍ厚、0.15ｍｍ角RFIDチップの開発 |
○宇佐美光雄（日立） |
| (10) |
14:20-14:45 |
RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果 |
○坂井靖文・小谷光司・伊藤隆司（東北大） |
| (11) |
14:45-15:10 |
Double Thresholding Schemeを用いた1V 299uW Flashing UWBトランシーバ |
○高宮 真・アーティット タムタカーン（東大）・石黒仁揮（慶大）・石田光一（東工大）・桜井貴康（東大） |
| (12) |
15:10-15:35 |
誘導結合型チップ間無線通信における低消費電力デイジーチェーン送信器 |
井上眞梨・三浦典之・○新津葵一（慶大）・中川源洋・田子雅基・深石宗生（NEC）・桜井貴康（東大）・黒田忠広（慶大） |
| |
15:35-15:45 |
休憩 （ 10分 ） |
8月17日(木) 午後
15:45 - 17:50 |
| (13) |
15:45-16:10 |
スパイラルインダクタ対の電磁結合による非接触シリアル伝送システム |
○閻 彬・佐々木 守・岩田 穆（広島大） |
| (14) |
16:10-16:35 |
25%のロッキングレンジを持つ20GHzインジェクションロックLC分周器 |
○柴崎崇之（慶大）・田村泰孝・神田浩一・山口久勝・小川淳二（富士通研）・黒田忠広（慶大） |
| (15) |
16:35-17:00 |
定在波を用いた１７ＧＨｚクロック分配法の研究 |
○森 敦・佐々木 守・汐崎 充・岩田 穆（広島大）・池田博明（エルピーダメモリ） |
| (16) |
17:00-17:25 |
低消費電力・高速90nm-CMOSクロックドライバ |
○萩原洋介・永山 卓・小林伸彰・榎本忠儀（中大） |
| (17) |
17:25-17:50 |
完全平滑３相動作SCループフィルタを用いた広帯域入力レンジを持つデジタル制御アダプティブPLLの開発 |
○道正志郎・柳沢直志・曽川和昭・山田祐嗣・森江隆史（松下電器） |
8月18日(金) 午前
09:00 - 10:40 |
| (18) |
09:00-09:25 |
CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造 |
○大曽根隆志・石井英二・森下賢幸・小椋清孝（岡山県立大）・松田敏弘・岩田栄之（富山県立大） |
| (19) |
09:25-09:50 |
(110)面<100>方向pMOSFETにおける移動度崩壊の実証 |
○清水 健・更屋拓哉・平本俊郎（東大） |
| (20) |
09:50-10:15 |
薄膜BOX 完全空乏型SOI MOSFET におけるばらつきの影響 |
○大藤 徹（東大）・杉井信之（日立）・平本俊郎（東大） |
| (21) |
10:15-10:40 |
45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果 |
○岡山康則・齋藤友博・大石 周・中嶋一明・松尾浩司・谷口修一・小野高稔・中山和宏・渡辺竜太・英保亜弓・菰田泰生・木村泰己・濱口雅史・竹川陽一・青山知憲（東芝） |
| |
10:40-10:50 |
休憩 （ 10分 ） |
8月18日(金) 午前
10:50 - 12:55 |
| (22) |
10:50-11:40 |
［特別招待講演］バルクCMOS 向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発 |
○山口晋平・田井香織・平野智之・安藤崇志・檜山 進・Junli Wang・萩本賢哉・長濱嘉彦・加藤孝義・長野 香・山中真由美・寺内早苗・神田さおり・山本 亮・館下八州志（ソニー） |
| (23) |
11:40-12:05 |
hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について |
川崎博久（東芝アメリカ電子部品）・○稲葉 聡・岡野王俊・金子明生（東芝）・八木下淳史（東芝アメリカ電子部品）・泉田貴士・金村貴永・佐々木貴彦・大塚伸朗・青木伸俊・須黒恭一・江口和弘・綱島祥隆（東芝）・石丸一成（東芝アメリカ電子部品）・石内秀美（東芝） |
| (24) |
12:05-12:30 |
超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 |
○今岡 進（ルネサスデザイン）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・増田康浩（ルネサスデザイン）・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・五十嵐元繁・冨田和朗・坪井信生・牧野博之・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
| (25) |
12:30-12:55 |
リード／ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法 |
○鈴木利一（松下電器）・山内寛行（福岡工大）・山上由展・里見勝治・赤松寛範（松下電器） |
| |
12:55-13:45 |
昼食 （ 50分 ） |
8月18日(金) 午後
13:45 - 15:50 |
| (26) |
13:45-14:35 |
［特別招待講演］Deep Pipelined SRAM Design for High Performance Processor |
○浅野 融（日本IBM） |
| (27) |
14:35-15:00 |
65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路 |
○薮内 誠・大林茂樹・新居浩二・塚本康正（ルネサステクノロジ）・今岡 進（ルネサスデザイン）・五十嵐元繁・竹内雅彦・川島 光・牧野博之・山口泰男・塚本和宏・犬石昌秀・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
| (28) |
15:00-15:25 |
しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発 |
○野口紘希（神戸大）・森田泰弘（金沢大）・藤原英弘・川上健太郎・宮越純一（神戸大）・三上真司（金沢大）・新居浩二・川口 博・吉本雅彦（神戸大） |
| (29) |
15:25-15:50 |
多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響 |
○倉田英明・大津賀一雄・小田部 晃・梶山新也・長部太郎・笹子佳孝（日立）・鳴海俊一・冨上健司・蒲原史朗・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
| |
15:50-16:00 |
休憩 （ 10分 ） |
8月18日(金) 午後
16:00 - 17:30 |
| (30) |
16:00-17:30 |
パネルディスカッション
「SRAM：低電圧化とばらつきへの挑戦」 |
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