1月17日(水)
09:45 - 17:45 |
| (1) |
09:45-10:10 |
NTCサーミスタを用いたW-CDMA用PAモジュールの利得の温度特性改善 |
○栗山 哲（日立）・湯山茂浩（ルネサステクノロジ）・大西正己・松本秀俊（日立）・田上知紀・大部 功（ルネサステクノロジ） |
| (2) |
10:10-10:35 |
速度飽和特性を利用したVddゲートバイアスRF-CMOS増幅回路 |
○石原 昇（群馬大） |
| (3) |
10:35-11:00 |
マイクロストリップ集中定数形超広帯域(UWB)帯域通過フィルタの設計 |
馬 哲旺・○石原浩明・小林禧夫（埼玉大）・穴田哲夫（神奈川大） |
| |
11:00-11:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
11:10-11:35 |
集中定数形コンポジット共振器を用いた小形マイクロストリップ帯域通過フィルタの設計 |
馬 哲旺・○阿部尚義・小林禧夫（埼玉大）・穴田哲夫（神奈川大） |
| (5) |
11:35-12:00 |
コンポジット共振器を用いたマイクロストリップトリプルバンド帯域通過フィルタの設計 |
○清水太一・馬 哲旺・小林禧夫（埼玉大）・穴田哲夫（神奈川大） |
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12:00-13:30 |
休憩 （ 90分 ） |
| (6) |
13:30-13:55 |
容量装荷λ/2MSL共振器を用いた直接結合型BPFに関する実験的検討 |
○松本 真（電通大）・島方幸広・山内拡幸（太陽誘電）・和田光司・岩崎 俊（電通大） |
| (7) |
13:55-14:20 |
タップ結合法を適用したマイクロストリップ線路共振器を用いた有極形デュアルバンドフィルタに関する実験的検討 |
○奥崎伸彦（電通大）・島方幸弘・山内拡幸（太陽誘電）・和田光司・岩崎 俊（電通大） |
| (8) |
14:20-14:45 |
固体プラズマ上におかれた周期金属構造のサブミリ波放射特性 |
○土井和也・淀川信一・高坂 諭・小武内哲雄（秋田大） |
| |
14:45-14:55 |
休憩 （ 10分 ） |
| (9) |
14:55-15:20 |
反射形0次共振器を用いたKu帯発振器 |
○水谷浩之・津留正臣・川上憲司・西野 有・宮崎守泰（三菱電機） |
| (10) |
15:20-15:45 |
ブランチスタブを用いたBPFによる通過帯域近傍の特性改善に関する基礎検討 |
○安住壮紀・大野貴信・橋本 修（青学大）・和田光司（電通大） |
| (11) |
15:45-16:10 |
帯域切替型マルチバンドアイソレータの検討 |
○古田敬幸・福田敦史・岡崎浩司・楢橋祥一（NTTドコモ） |
| (12) |
16:10-16:35 |
四肢生体内計測用チャープパルスマイクロ波CTの開発 （講演なし） |
○石黒隆志・岩田直之・三星裕樹・宮崎康彰・宮川道夫（新潟大） |
| |
16:35-16:45 |
休憩 （ 10分 ） |
| (13) |
16:45-17:45 |
［特別講演］第36回欧州マイクロ波会議出席報告 |
○関 智弘・上綱秀樹（NTT）・福田敦史（NTTドコモ）・田中高行（佐賀大）・西野 有・宮口賢一（三菱電機）・陳 春平（神奈川大）・杉浦慎哉（豊田中研）・風間保裕（日本無線） |
1月18日(木)
09:45 - 17:05 |
| (14) |
09:45-10:10 |
広帯域同軸-CPW変換器 |
○グェン コク ディン・グェン タイン・亀井利久・内海要三（防衛大） |
| (15) |
10:10-10:35 |
液晶装荷浮遊電極付高速移相器の特性改善の検討 |
○前田壮彦・亀井利久・内海要三（防衛大） |
| (16) |
10:35-11:00 |
60GHz帯NRDガイドパルスレーダを用いたレベルセンサシング信号処理部における連続サンプリングによる測定精度の向上 |
○出穂剛史・黒木太司（呉高専）・米山 務（東北工大） |
| |
11:00-11:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (17) |
11:10-11:35 |
UHF帯TV信号受信用小型・薄型J字型モノポールアンテナアレイ |
黒木太司・○太田宙志（呉高専） |
| (18) |
11:35-12:00 |
誘電体基板両面に配置した小型・薄型クロスミアンダラインアンテナ |
○黒木太司・太田宙志（呉高専） |
| |
12:00-13:00 |
休憩 （ 60分 ） |
| (19) |
13:00-13:25 |
ミリ波帯におけるプリント伝送線路の伝送損失軽減法に関する考察 |
黒木太司・○宮本和哉・舛本亮太・田丸了次（呉高専） |
| (20) |
13:25-13:50 |
ミリ波帯誘電体基板支持トリプレート伝送線路フィルタの不要放射抑圧 |
黒木太司・○宮本和哉（呉高専） |
| (21) |
13:50-14:15 |
FDTD法による共振器結合係数の算出 |
○鈴木健司・石田哲也・粟井郁雄（龍谷大） |
| (22) |
14:15-14:40 |
広帯域積層導波管バランスフィルタの一検討 |
○福永達也（TDK）・和田光司（電通大） |
| |
14:40-14:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (23) |
14:50-15:15 |
FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 ～ ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定 ～ |
○飯田幸雄・中尾公一・大村泰久・田村 進（関西大） |
| (24) |
15:15-15:40 |
低融点樹脂を用いた粉体の複素比誘電率の測定法に関する検討 |
大塚健二郎・○佐藤彰祐・橋本 修（青学大） |
| (25) |
15:40-16:05 |
集光レンズアンテナを用いた高損失誘電材料の複素比誘電率テンソルの測定に関する検討 |
○宮本昌尚・橋本 修・渡邊慎也（青学大） |
| |
16:05-16:15 |
休憩 （ 10分 ） |
| (26) |
16:15-16:40 |
石膏ボードと抵抗膜を用いた二周波対応型無線LAN用電波吸収体 |
中村卓哉・大塚健二郎・○祥雲勇一・橋本 修（青学大） |
| (27) |
16:40-17:05 |
耐環境性に優れたゴムシートを用いた円形格子型電波吸収体に関する検討 |
○小澤 健・松本好太・三浦 裕（青学大）・岡田 治（ブリヂストン）・橋本 修（青学大） |
1月19日(金)
09:45 - 17:05 |
| (28) |
09:45-10:10 |
CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器 |
○森脇孝雄・山本和也・小川喜之・三浦 猛・前村公正・紫村輝之（三菱電機） |
| (29) |
10:10-10:35 |
携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ |
○竹中 功・石倉幸治・高橋英匡・長谷川浩一・上田 隆・栗原俊道・麻埜和則・岩田直高（NECエレクトロニクス） |
| (30) |
10:35-11:00 |
GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET |
○後藤清毅・國井徹郎・井上 晃（三菱電機）・大植利和（Wave Technology）・河野正基・奥 友希・石川高英（三菱電機） |
| |
11:00-11:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (31) |
11:10-11:35 |
高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル |
○井上 晃・天清宗山・後藤清毅・國井徹郎・奥 友希・石川高英（三菱電機） |
| (32) |
11:35-12:00 |
InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC |
○上綱秀樹（NTT）・山根康郎（NEL）・徳光雅美（NTT）・菅原裕彦（NTT-AT）・榎木孝知（NTT） |
| |
12:00-13:00 |
休憩 （ 60分 ） |
| (33) |
13:00-13:25 |
GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器 |
○山本和也・宮下美代・小川喜之・三浦 猛・紫村輝之（三菱電機） |
| (34) |
13:25-13:50 |
ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価 |
○田村隆博・小谷淳二・葛西誠也・橋詰 保（北大） |
| (35) |
13:50-14:15 |
Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ |
○渡邉則之・横山春喜・廣木正伸・小田康裕（NTT）・八木拓真（NTT-AT）・小林 隆（NTT） |
| |
14:15-14:25 |
休憩 （ 10分 ） |
| (36) |
14:25-14:50 |
AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化 |
○松尾尚慶・上野弘明・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
| (37) |
14:50-15:15 |
ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ |
○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） |
| (38) |
15:15-15:40 |
絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス |
○金村雅仁・多木俊裕・今西健治・牧山剛三・岡本直哉（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英・常信和清（富士通/富士通研） |
| |
15:40-15:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (39) |
15:50-16:15 |
GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路 |
○齋藤 渉・土門知一・津田邦男・大村一郎（東芝） |
| (40) |
16:15-16:40 |
X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発 |
○松下景一・柏原 康・増田和俊・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） |
| (41) |
16:40-17:05 |
ミリ波向け高耐圧・高fmax GaN-HEMT |
○牧山剛三・多木俊裕・今西健治・金村雅仁（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） |
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