7月26日(木) 午後 【１日目】
13:30 - 16:40 |
| (1) |
13:30-13:55 |
AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響 |
○畑野舞子・谷口裕哉・徳田博邦・葛原正明（福井大） |
| (2) |
13:55-14:20 |
AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定 |
○玉井健太郎・敖 金平（徳島大）・菊田大悟（豊田中研）・杉本雅裕（トヨタ自動車）・大野泰夫（徳島大） |
| (3) |
14:20-14:45 |
Temperature dependence of frequency dispersion in $C$-$V$ characteristics of AlN/AlGaN/GaN MIS-HFET |
○Hong-An Shih・Masahiro Kudo・Toshi-kazu Suzuki（JAIST） |
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14:45-15:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
15:00-15:25 |
AlInN/GaN系へテロ構造の表面・界面評価 |
○橋詰 保・堀 祐臣・赤澤正道（北大） |
| (5) |
15:25-15:50 |
Effect of ICP Etching on p-type GaN Schottky Contacts |
○Toshifumi Takahashi（Univ. of Fukui）・Naoki Kaneda・Tomoyoshi Mishima（Hitachi Cable）・Kazuki Nomoto（Univ. of Notre Dame）・Kenji Shiojima（Univ. of Fukui） |
| (6) |
15:50-16:15 |
Electrical Characteristics of Surface Stoichiometry Controlled p-GaN Schottky Contacts |
○Toshifumi Takahashi（Univ. of Fukui）・Naoki Kaneda・Tomoyoshi Mishima（Hitachi Cable）・Takashi Kajiwara・Satoru Tanaka（Kyushu Univ.）・Kenji Shiojima（Univ. of Fukui） |
| (7) |
16:15-16:40 |
フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討 |
○児玉和樹・徳田博邦・葛原正明（福井大） |
7月27日(金) 午前 【２日目】
09:30 - 12:15 |
| (8) |
09:30-09:55 |
量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析 |
○永井佑太郎・佐藤 純・原 紳介・藤代博記（東京理科大）・遠藤 聡・渡邊一世（NICT） |
| (9) |
09:55-10:20 |
トンネルダイオードの非平衡量子輸送モデルの構築と遮断周波数の理論解析 |
○山下 新・倉上祐司・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） |
| (10) |
10:20-10:45 |
広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析 |
○浅川澄人・田代篤史・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） |
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10:45-11:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (11) |
11:00-11:25 |
GaAs系エッチングナノワイヤCCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討 |
中野雄紀・田中貴之・○葛西誠也（北大） |
| (12) |
11:25-11:50 |
非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験 |
日高志郎・近藤太郎・赤堀誠志・○山田省二（北陸先端大） |
| (13) |
11:50-12:15 |
ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET |
○鷹林 将・楊 猛・小川修一・林 広幸・栗田裕記・高桑雄二・末光哲也・尾辻泰一（東北大） |
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