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1日目のセッション終了後に懇親会を開催いたします。 ★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 加地 徹 (豊田中研) 副委員長 原 直紀 (富士通研) 幹事 津田 邦男 (東芝)， 須原 理彦 (首都大東京) 幹事補佐 上田 哲三 (パナソニック)， 葛西 誠也 (北大) 日時 2011年10月20日(木) 14：00～17：10 2011年10月21日(金) 09：00～12：10 会場 八戸ポータルミュージアム 「はっち」 １階 シアター１（〒031-0032 青森県八戸市三日町11-1．八戸駅東口バスのりば1番から中心街方面行き乗車。「八戸中心街ターミナル」下車すぐ。乗車時間25分．http://hacchi.jp/ha/about/index.html．八戸工業大学工学部システム情報工学科 嶋脇 秀隆．0178-25-8270） 議題 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 10月20日(木) 午後 （14：00～17：10） 座長: 新井 学(新日本無線） (1) 14:00 - 14:25 真空トランジスタによる振幅変調波の検波 ○後藤康仁・池田啓太・大上 航・安友佳樹・辻 博司（京大） (2) 14:25 - 14:50 四極構造の真空トランジスタを用いた周波数混合実験 ○安友佳樹・大上 航・後藤康仁・辻 博司（京大） (3) 14:50 - 15:15 高効率2GHz帯TWTの開発 ○岡本耕治・中里行平・吉田 満・松岡順一・鈴木和高（ネットコムセック） (4) 15:15 - 15:40 Ba含浸カソードを用いた電子管のイオン衝撃によるエミッション低下現象のシミュレーション ○樋口敏春・佐々木正洋（筑波大）・松本修二・福田茂樹（高エネルギー加速器研究機構） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (5) 15:55 - 16:20 Remolding処理によるBlunt W tip先端上 Nano-Pyramid形成支援 ○中川達裕・村田英一・下山 宏・藤田 真・六田英治（名城大） (6) 16:20 - 16:45 静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製方法の改良 ○長尾昌善・吉田知也・西 孝・神田信子（産総研）・小池昭史・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） (7) 16:45 - 17:10 マイクロサイズ電子線筐筒用の電子銃部に関する研究 ○藤野高弘・小池昭史（静岡大）・長尾昌善・吉田知也・西 季（産総研）・村田英一・酒井健太郎（名城大）・根尾陽一郎・青木 徹・三村秀典（静岡大） 10月21日(金) 午前 （09：00～12：10） 座長: 根尾陽一郎（静岡大） (8) 09:00 - 09:25 nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射 ○嶋脇秀隆・山崎勇人（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） (9) 09:25 - 09:50 表面プラズモン共鳴による光励起カソードに関する研究 ○根尾陽一郎（静岡大）・松本貴裕（スタンレー電気）・陳 崇瀚・青木 徹・三村秀典（静岡大） (10) 09:50 - 10:15 ガラス基板上酸化チタンナノ構造の作製と電界電子放出特性 ○若家冨士男・中谷卓央・阿保 智・高井幹夫（阪大） (11) 10:15 - 10:40 n型半導体立方晶窒化ホウ素単結晶からの電界電子放出機構 ○山田貴壽・長谷川雅考（産総研）・Christoph E. Nebel（FIA）・工藤唯義・増沢智昭・岡野 健（国際基督教大）・谷口 尚（物質・材料研究機構） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (12) 10:55 - 11:20 レーザ誘起焦電結晶からの電子放出とX線源への応用 ○加賀英一・中浜弘介・木佐俊哉・阿保 智・若家冨士男・高井幹夫（阪大） (13) 11:20 - 11:45 ゲート付CNT電子源を用いたX線源の開発 ○真鍋知弥・新田翔吾・沖 宏吏・阿保 智・若家冨士男・高井幹夫（阪大） (14) 11:45 - 12:10 高温燃焼グラファイトの評価とその応用 ○中村智宣・定塚淳生・小池高寿・岩井勇輔・羽山洋平・鬼塚好弘（鬼塚硝子）・三村秀典（静岡大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎２０日の研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月17日(木)～18日(金) 京都大学桂キャンパス 桂ホール [9月16日(金)] テーマ：窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 12月14日(水)～15日(木) 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 [10月20日(木)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2012年1月11日(水)～12日(木) 機械振興会館 [11月18日(金)] テーマ：化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 【問合先】 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E-mail :     o       津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E-mail :   o   ba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E-mail :      t  上田 哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-mail：   zopa cLast modified: 2011-08-18 16:56:55 |
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