2月27日(水) 午後
13:30 - 17:45 |
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13:30-14:10 |
［招待講演］グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果 |
○町田友樹（東大/JST）・増渕 覚・大貫雅広・井口和之・森川 生・山口健洋・荒井美穂（東大）・渡邊賢司・谷口 尚（物質・材料研究機構） |
| (2) |
14:10-14:35 |
外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化 |
○池田浩也・鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振） |
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14:35-15:00 |
電気化学堆積法と電気泳動法によるCu2O/TiO2ヘテロ接合太陽電池の作製 |
○加藤義人・市村正也（名工大） |
| (4) |
15:00-15:25 |
イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか |
○榊原宏武・和田耕司・加藤正史・市村正也（名工大） |
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15:25-15:40 |
休憩 （ 15分 ） |
| (5) |
15:40-16:05 |
Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn Junctions |
○Sri Purwiyanti・Arief Udhiarto（Shizuoka Univ./Univ. Indonesia）・Roland Nowak（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Djoko Hartanto（Univ. Indonesia）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） |
| (6) |
16:05-16:30 |
フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性 |
○孫 屹・木村祐太・前元利彦・佐々誠彦（阪工大）・葛西誠也（北大） |
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16:30-16:55 |
グラフェン3分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討 |
○殷 翔・葛西誠也（北大） |
| (8) |
16:55-17:20 |
Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET |
○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大） |
| (9) |
17:20-17:45 |
InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス |
○船山裕晃・渡邉龍郎・道又賢司・和保孝夫・村上 新・下村和彦（上智大） |
2月28日(木) 午前
09:00 - 12:10 |
| (10) |
09:00-09:25 |
室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化 |
○鈴木龍太・野末喬城・更屋拓也・平本俊郎（東大） |
| (11) |
09:25-09:50 |
二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価 |
○内田貴史・竹中浩人・吉岡 勇・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） |
| (12) |
09:50-10:15 |
散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振 |
○水柿義直（電通大） |
| (13) |
10:15-10:40 |
超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関 |
○滝口将志・守屋雅隆・島田 宏・水柿義直（電通大） |
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10:40-10:55 |
休憩 （ 15分 ） |
| (14) |
10:55-11:20 |
SPMスクラッチ法を用いたナノスケール加工のグラフェンへの適用 |
○須田隆太郎・齋藤孝成・吉田 卓（東京農工大）・Ampere A. Tseng（Arizona State Univ.）・白樫淳一（東京農工大） |
| (15) |
11:20-11:45 |
ジュール加熱されたグラフェンの近赤外イメージングによるその場温度測定 |
○齋藤孝成・厚母息吹・須田隆太郎・伊藤光樹・白樫淳一（東京農工大） |
| (16) |
11:45-12:10 |
CNT添加カーボンファイバの電気的特性 |
○綿貫雄仁・田中 朋・佐野栄一・古月文志（北大） |
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