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13日の研究会終了後に懇親会を予定しております。みなさま奮ってご参加ください。 ★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 橋詰 保 (北大) 副委員長 加地 徹 (豊田中研) 幹事 村田 浩一 (NTT)， 原 直紀 (富士通研) 幹事補佐 津田 邦男 (東芝)， 須原 理彦 (首都大東京) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大) 副委員長 竹村 泰司 (横浜国大) 幹事 大庭 直樹 (NTT)， 野毛 悟 (沼津高専) 幹事補佐 今井 欽之 (NTT)， 阿部 克也 (信州大) ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大) 副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス) 幹事 安斎 久浩 (ソニー)， 遠藤 哲郎 (東北大) 幹事補佐 大西 克典 (九工大)， 小野 行徳 (NTT) 日時 2010年 5月13日(木) 13：30～17：05 2010年 5月14日(金) 10：00～14：45 会場 静岡大学 浜松キャンパス 電子工学研究所２階会議室（創造科学大学院から変更になりました）（〒432-8561浜松市中区城北3-5-1．JR浜松駅前北口 バスターミナル15,16番のりばから 全路線 「静岡大学」下車 (所要時間約20分、1時間に10本程度運行)．http://www.shizuoka.ac.jp/ippan/hamamatsu.html．静岡大学 電子工学研究所 池田浩也） 議題 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） 5月13日(木) 午後 （13：30～17：05） (1) 13:30 - 13:55 DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定 ○渡邉 新・江川孝志（名工大） (2) 13:55 - 14:20 Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性 ○永井一弘・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大） (3) 14:20 - 14:45 Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討 ○近藤正樹・秦 貴幸・岡田 浩・若原昭浩・古川雄三（豊橋技科大）・佐藤真一郎・大島 武（原子力機構） (4) 14:45 - 15:10 シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (5) 15:25 - 15:50 Charging phenomena of a single electron in P-doped Si SOI-MOSFETs ○Earfan Hamid・Juli ChaTarido・Sakito Miki・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） (6) 15:50 - 16:15 Single Photon Detection in Single Dot and Multi Dot Channel Phosphorus-Doped SOI-FET ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Sakito Miki・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shiuzoka Univ.） (7) 16:15 - 16:40 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果 ○早川泰弘・ムカンナン アリバナンドハン・ゴビンダサミー ラジェッシュ・小山忠信・百瀬与志美・森井久史・青木 徹・田中 昭・岡野泰則（静岡大）・小澤哲夫（静岡理工科大）・稲富裕光（JAXA） (8) 16:40 - 17:05 Effect of Temperature on the Formation of ZnS Nanostructures and Properties ○Mani Navaneethan（Shizuoka Univ.）・Jayaram Archana・K. D. Nisha（SMR Univ）・Mukannan Arivanandhan（Shizuoka Univ.）・Suruttaiyaudaiyar Ponnusamy・Chellamuthu Muthamizhchelvan（SMR Univ）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） 5月14日(金) 午前 （10：00～12：20） (9) 10:00 - 10:25 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果 ○以西雅章・加藤 卓（静岡大） (10) 10:25 - 10:50 RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 ○中村光宏・以西雅章（静岡大） (11) 10:50 - 11:15 Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○茅野真也・山口直哉・以西雅章（静岡大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (12) 11:30 - 11:55 白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性 ○中村郁太・伊藤達也・以西雅章（静岡大）・星 陽一（東京工芸大） (13) 11:55 - 12:20 MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 ～ Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討 ～ ○後藤達彦・江川 鍛・小川博久・土用下尚外・福田浩幸・犬塚博章・舘 忠裕・藤村直也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） 5月14日(金) 午後 （13：30～14：45） (14) 13:30 - 13:55 インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化 ○李 昌勇・松野文弥・橋元芳昇・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） (15) 13:55 - 14:20 MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面 ○高野 泰・山田洋毅・見崎 龍・高木達也・福家俊郎（静岡大） (16) 14:20 - 14:45 Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 ○田中誠造・野口健太・山根啓輔・出口裕輝・古川雄三・岡田 浩・若原昭浩・米津宏雄（豊橋技科大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎５月１３日の研究会終了後、懇親会を予定しておりますので奮ってご参加ください。 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月17日(木)～18日(金) 北陸先端大 [4月15日(木)] テーマ：半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 6月30日(水)～7月2日(金) 東工大 大岡山キャンパス [4月15日(木)] テーマ：第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) 【問合先】 村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-mail：     aecl   原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E-mail :   o      津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E-mail :   o   ba須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E-mail :      t ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月25日(金) 機械振興会館 地下3階研修2号室 [4月15日(木)] テーマ：材料デバイスサマーミーティング 7月29日(木)～30日(金) 道の駅しゃり 会議室 [5月24日(月)] テーマ：電子部品・材料，一般 8月26日(木)～27日(金) 千歳アルカディアプラザ [6月16日(水)] テーマ：光部品・電子デバイス実装技術、一般 【問合先】 野毛 悟（沼津工業高等専門学校） E-mail: s-  ge   -ct阿部 克也（信州大学） E-mail: abe ns -u☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月22日(火) 東京大学（生産研An棟） [4月14日(水)] テーマ：ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催） 6月30日(水)～7月2日(金) 東工大 大岡山キャンパス [4月15日(木)] テーマ：第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) 8月26日(木)～27日(金) 札幌エルプラザ内男女共同参画センター [6月9日(水)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 安斎 久浩(ソニー) Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572 E-mail: Hi   Ani nyLast modified: 2010-04-06 13:05:55 |
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