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電子部品・材料研究会（CPM）

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専門委員長		石井清
副委員長		上村喜一
幹事		北本仁孝，松浦徹
幹事補佐		清水英彦，豊田誠治

日時	2005年11月11日(金)　13:30 - 17:30 2005年11月12日(土)　09:00 - 13:25
議題	薄膜プロセス・材料、一般
会場名	福井大学文京キャンパス
住所	〒910-8507 福井市文京3-9-1
交通案内	私鉄えちぜん鉄道福大前西福井駅から徒歩10分 http://www.fukui-u.ac.jp/NewHP1002/map/campus.htm
会場世話人連絡先	福井大学工学部山本あきお 0776-27-8566

11月11日(金) 13:30 - 17:30
(1)	13:30-13:55	NiCr薄膜抵抗体における熱歪と抵抗温度係数(TCR)特性	○岩坪　聡・清水孝晃（富山県工技センター）・津幡　健・桑原大輔（北陸電気工業）・谷野克巳（富山県工技センター）
(2)	13:55-14:20	同時スパッタプリカーサを用いたCZTS薄膜太陽電池	○木村亮一・神保和夫・上村　剛・山田　覚・ウィンシュウマウ・片桐裕則（長岡高専）
(3)	14:20-14:45	溶融法によるCu2ZnSnS4結晶の作製	○島田聡郎・大石耕一郎・神保和夫・片桐裕則・荒木秀明・吉田　理・山崎　誠（長岡高専）・小林敏志・坪井　望（新潟大）
(4)	14:45-15:10	Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化～ Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて～	○原島正幸・金丸哲史・加藤有行・荻原智明・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大）
(5)	15:10-15:35	プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価	○山口哲生・劉　穎慎・石田芳樹・山上朋彦・林部林平・阿部克也・上村喜一（信州大）
	15:35-15:50	休憩　（ 15分）
(6)	15:50-16:15	Preparation and Magnetic Properties of Hexagonal Ferrite Dot Arry	○Akimitsu Morisako・Xiaoxi Liu（Shinshu Univ.）
(7)	16:15-16:40	自己平坦化法によるBi-2212スタックの作製	○鈴木光夫・ファチャムルンラッタナット・余川奈保美・岡上久美・濱崎勝義（長岡技科大）
(8)	16:40-17:05	塩酸で改質させた高温超伝導Bi-2212単結晶表面層の物性評価	○余川奈保美・吉田　隆・岡上久美・末松久幸・濱崎勝義（長岡技科大）・寺島岳史・阿部浩也（阪大）
(9)	17:05-17:30	スタック型Bi-2212ジョセフソンデバイスの温度特性	○ファチャムルンラッタナット・鈴木光夫・余川奈保美・岡上久美・濱崎勝義（長岡技科大）
11月12日(土) 09:00 - 13:25
(1)	09:00-09:25	MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果	○永井泰彦・三輪浩士・橋本明弘・山本あきお（福井大）
(2)	09:25-09:50	Growth and Characterization of MOVPE InN Films on Bulk GaN Substrate	○Wen-Jun Wang・Hiroshi Miwa・Yasuhiko Nagai・Akihiro Hashimoto・Akio Yamamoto（Univ. of Fukui）
(3)	09:50-10:15	ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果	○宮西正芳（福井大）・高橋尚也（福井高専）・小林隆弘（福井大）・高山勝己（福井高専）・南保幸男（日華化学）・橋本明弘・山本あきお（福井大）
(4)	10:15-10:40	3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長	○趙　明秀・小林隆弘・澤崎尚樹・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター）
(5)	10:40-11:05	3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長～基板表面の窒化処理効果～	○澤崎尚樹・小林隆弘・趙　明秀・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター）
	11:05-11:20	休憩　（ 15分）
(6)	11:20-11:45	ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製～ヒドラジン一水和物添加の効果～	○蛭田賢和・小林敏志・坪井　望・金子双男（新潟大）
(7)	11:45-12:10	Investigations of the structural deformations in Si/SiGe films by AFM and HRXRD	○Shuqi Zheng・M. Kawashima・Masayuki Mori・Toyokazu Tambo・C. Tatsuyama（Toyama Univ.）
(8)	12:10-12:35	パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討	○星　陽一・國芳祐二（東京工芸大）・神谷　攻（キヤノン）・清水英彦（新潟大）
(9)	12:35-13:00	低電圧スパッタ法によるYBCO薄膜の作製及び評価	○岡田好正・清水英彦・森　貴志・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星　陽一（東京工芸大）・丸山武男（新潟大）
(10)	13:00-13:25	有機EL素子用ITO薄膜の作製と検討	○槻尾浩一・竹内正樹・森下和哉・清水英彦・丸山武男・川上貴浩（新潟大）・星　陽一（東京工芸大）

問合先と今後の予定
CPM	電子部品・材料研究会（CPM） [今後の予定はこちら]
	問合先	清水英彦（新潟大学） TEL 025-262-6811 FAX 025-262-6811 E-: engi-u 山本あきお（福井大学） TEL 0776-27-8566 FAX 0776-27-8749 E-: eei-u 安井寛治（長岡技術科学大学） TEL 0258-47-9502 FAX 0258-47-9500 E-: kivosut