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★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 石井 清 副委員長 上村 喜一 幹事 北本 仁孝， 松浦 徹 幹事補佐 清水 英彦， 豊田 誠治 日時 2005年11月11日(金) 13：30～17：30 2005年11月12日(土) 09：00～13：25 会場 福井大学 文京キャンパス（〒910-8507 福井市文京3-9-1．私鉄えちぜん鉄道福大前西福井駅から徒歩10分．http://www.fukui-u.ac.jp/NewHP1002/map/campus.htm．福井大学工学部 山本あきお．0776-27-8566） 議題 薄膜プロセス・材料、一般 11月11日(金) （13：30～17：30） (1) 13:30 - 13:55 NiCr薄膜抵抗体における熱歪と抵抗温度係数(TCR)特性 ○岩坪 聡・清水孝晃（富山県工技センター）・津幡 健・桑原大輔（北陸電気工業）・谷野克巳（富山県工技センター） (2) 13:55 - 14:20 同時スパッタプリカーサを用いたCZTS薄膜太陽電池 ○木村亮一・神保和夫・上村 剛・山田 覚・ウィン シュウ マウ・片桐裕則（長岡高専） (3) 14:20 - 14:45 溶融法によるCu2ZnSnS4結晶の作製 ○島田聡郎・大石耕一郎・神保和夫・片桐裕則・荒木秀明・吉田 理・山崎 誠（長岡高専）・小林敏志・坪井 望（新潟大） (4) 14:45 - 15:10 Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 ～ Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて ～ ○原島正幸・金丸哲史・加藤有行・荻原智明・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大） (5) 15:10 - 15:35 プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価 ○山口哲生・劉 穎慎・石田芳樹・山上朋彦・林部林平・阿部克也・上村喜一（信州大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (6) 15:50 - 16:15 Preparation and Magnetic Properties of Hexagonal Ferrite Dot Arry ○Akimitsu Morisako・Xiaoxi Liu（Shinshu Univ.） (7) 16:15 - 16:40 自己平坦化法によるBi-2212スタックの作製 ○鈴木光夫・ファチャムルン ラッタナット・余川奈保美・岡上久美・濱崎勝義（長岡技科大） (8) 16:40 - 17:05 塩酸で改質させた高温超伝導Bi-2212単結晶表面層の物性評価 ○余川奈保美・吉田 隆・岡上久美・末松久幸・濱崎勝義（長岡技科大）・寺島岳史・阿部浩也（阪大） (9) 17:05 - 17:30 スタック型Bi-2212ジョセフソンデバイスの温度特性 ○ファチャムルン ラッタナット・鈴木光夫・余川奈保美・岡上久美・濱崎勝義（長岡技科大） 11月12日(土) （09：00～13：25） (1) 09:00 - 09:25 MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果 ○永井泰彦・三輪浩士・橋本明弘・山本あきお（福井大） (2) 09:25 - 09:50 Growth and Characterization of MOVPE InN Films on Bulk GaN Substrate ○Wen-Jun Wang・Hiroshi Miwa・Yasuhiko Nagai・Akihiro Hashimoto・Akio Yamamoto（Univ. of Fukui） (3) 09:50 - 10:15 ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果 ○宮西正芳（福井大）・高橋尚也（福井高専）・小林隆弘（福井大）・高山勝己（福井高専）・南保幸男（日華化学）・橋本明弘・山本あきお（福井大） (4) 10:15 - 10:40 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長 ○趙 明秀・小林隆弘・澤崎尚樹・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） (5) 10:40 - 11:05 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 ～ 基板表面の窒化処理効果 ～ ○澤崎尚樹・小林隆弘・趙 明秀・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (6) 11:20 - 11:45 ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 ～ ヒドラジン一水和物添加の効果 ～ ○蛭田賢和・小林敏志・坪井 望・金子双男（新潟大） (7) 11:45 - 12:10 Investigations of the structural deformations in Si/SiGe films by AFM and HRXRD ○Shuqi Zheng・M. Kawashima・Masayuki Mori・Toyokazu Tambo・C. Tatsuyama（Toyama Univ.） (8) 12:10 - 12:35 パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討 ○星 陽一・國芳祐二（東京工芸大）・神谷 攻（キヤノン）・清水英彦（新潟大） (9) 12:35 - 13:00 低電圧スパッタ法によるYBCO薄膜の作製及び評価 ○岡田好正・清水英彦・森 貴志・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星 陽一（東京工芸大）・丸山武男（新潟大） (10) 13:00 - 13:25 有機EL素子用ITO薄膜の作製と検討 ○槻尾浩一・竹内正樹・森下和哉・清水英彦・丸山武男・川上貴浩（新潟大）・星 陽一（東京工芸大） ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2006年1月20日(金) 機械振興会館 [11月10日(木)] テーマ：電池技術関連、一般 【問合先】 清水 英彦（新潟大学） TEL 025-262-6811 FAX 025-262-6811 E-mail:     eng  i  -u 山本 あきお（福井大学） TEL 0776-27-8566 FAX 0776-27-8749 E-mail:      ee i-u安井 寛治（長岡技術科学大学） TEL 0258-47-9502 FAX 0258-47-9500 E-mail: k  ivos  utLast modified: 2005-09-23 16:42:06 |
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