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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 副委員長 品田 高宏 (東北大) 幹事 黒田 理人 (東北大)， 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)， 諸岡 哲 (東芝メモリ) 日時 2018年 1月30日(火) 11：00～16：30 会場 機械振興会館 地下3F 研修1（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html） 議題 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 1月30日(火) 午前 （11：00～16：30） (1) 11:00 - 11:30 ［招待講演］過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察 ○太田裕之・右田真司・池上 努・服部淳一・浅井栄大・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大） (2) 11:30 - 12:00 ［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） −−− 昼食 （ 90分 ） −−− (3) 13:30 - 14:00 ［招待講演］Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 ○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内 健（中大） (4) 14:00 - 14:30 ［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） −−− 休憩 （ 30分 ） −−− (5) 15:00 - 15:30 ［招待講演］STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET ○Pablo Stoliar（nanoGUNE）・Alejandro Schulman・Ai Kitoh・Akihito Sawa・Isao H. Inoue（AIST） (6) 15:30 - 16:00 ［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties ○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） (7) 16:00 - 16:30 ［招待講演］IEDM2017を振り返って ○高柳万里子（東芝） 招待講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月8日(木) 東京大学/本郷 [11月20日(月)] テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 2月28日(水) (開催日変更) 北海道大学百年記念会館 [12月20日(水)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 3月8日(木) 東レ総合研修センター [1月19日(金)] テーマ：回路デバイス境界技術領域合同研究会 4月6日(金)～7日(土) 沖縄県青年会館 [2月12日(月)] テーマ：薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2017-12-04 16:14:46 |
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