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★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長 前澤 宏一 (富山大) 副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 松永 高治 (NEC)， 鈴木 寿一 (北陸先端大)
幹事補佐 新井 学 (新日本無線)， 東脇 正高 (NICT)
日時 2015年 7月24日(金) 13：15～16：25
2015年 7月25日(土) 10：15～11：55
会場 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町)（https://www.bp-musashi.jp/）
議題 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般
7月24日(金) 午後 （13：15～14：55）
(1) 13:15 - 13:40
N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価
○青木俊周（福井大）・谷川智之・片山竜二・松岡隆志（東北大）・塩島謙次（福井大）
(2) 13:40 - 14:05
n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価
○永縄 萌・青木俊周（福井大）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
(3) 14:05 - 14:30
リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
○美濃浦優一・岡本直哉・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・鎌田陽一・渡部慶二（富士通研）
(4) 14:30 - 14:55
AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ
○鈴木寿一・Son Phuong Le・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih（北陸先端大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
7月24日(金) 午後 （15：10～16：25）
(5) 15:10 - 15:35
X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価
○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）
(6) 15:35 - 16:00
SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性
○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大）
(7) 16:00 - 16:25
有機強誘電体を用いたMFS型ダイヤモンドFETの形成
柄谷涼太・古市浩幹（金沢大）・中嶋宇史（東京理科大）・徳田規夫・○川江 健（金沢大）
7月25日(土) 午前 （10：15～11：55）
(8) 10:15 - 10:40
In-plane electrical properties of MnAs/InAs/GaAs(111)B heterostructures
○Md Earul Islam・Cong Thanh Nguyen・Masashi Akabori（JAIST）
(9) 10:40 - 11:05
再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス
○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大）
(10) 11:05 - 11:30
AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性
○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大）
(11) 11:30 - 11:55
共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ
○前澤宏一・角谷祐一郎・中山大周・田近拓巳・森 雅之（富山大）
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
8月3日(月)～4日(火) 機械振興会館 テーマ：センサデバイス、MEMS、一般
10月22日(木)～23日(金) 名城大学名駅サテライト（ＭＳＡＴ） [8月20日(木)] テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術
Last modified: 2015-06-05 19:42:09
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