7月24日(金) 午後
13:15 - 14:55 |
| (1) |
13:15-13:40 |
N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 |
○青木俊周（福井大）・谷川智之・片山竜二・松岡隆志（東北大）・塩島謙次（福井大） |
| (2) |
13:40-14:05 |
n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価 |
○永縄 萌・青木俊周（福井大）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） |
| (3) |
14:05-14:30 |
リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング |
○美濃浦優一・岡本直哉・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・鎌田陽一・渡部慶二（富士通研） |
| (4) |
14:30-14:55 |
AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ |
○鈴木寿一・Son Phuong Le・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih（北陸先端大） |
| |
14:55-15:10 |
休憩 （ 15分 ） |
7月24日(金) 午後
15:10 - 16:25 |
| (5) |
15:10-15:35 |
X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価 |
○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） |
| (6) |
15:35-16:00 |
SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 |
○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大） |
| (7) |
16:00-16:25 |
有機強誘電体を用いたMFS型ダイヤモンドFETの形成 |
柄谷涼太・古市浩幹（金沢大）・中嶋宇史（東京理科大）・徳田規夫・○川江 健（金沢大） |
7月25日(土) 午前
10:15 - 11:55 |
| (8) |
10:15-10:40 |
In-plane electrical properties of MnAs/InAs/GaAs(111)B heterostructures |
○Md Earul Islam・Cong Thanh Nguyen・Masashi Akabori（JAIST） |
| (9) |
10:40-11:05 |
再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス |
○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大） |
| (10) |
11:05-11:30 |
AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 |
○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大） |
| (11) |
11:30-11:55 |
共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ |
○前澤宏一・角谷祐一郎・中山大周・田近拓巳・森 雅之（富山大） |