5月19日(木) 午前 HVPE、その他の薄膜成長と評価
座長: 市村正也（名工大）
09:00 - 10:15 |
| (1) |
09:00-09:25 |
電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製 |
○楊 凱・中島佑基・市村正也（名工大） |
| (2) |
09:25-09:50 |
a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 |
○高木雄太・三宅秀人・平松和政（三重大） |
| (3) |
09:50-10:15 |
エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価 |
○楊 士波・宮川鈴衣奈・三宅秀人・平松和政（三重大）・播磨 弘（京都工繊大） |
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10:15-10:25 |
休憩 （ 10分 ） |
5月19日(木) SiC
座長: 三宅秀人（三重大）
10:25 - 12:05 |
| (4) |
10:25-10:50 |
自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 |
○加藤正史・吉田敦史・市村正也（名工大） |
| (5) |
10:50-11:15 |
3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 |
○吉田敦史・加藤正史・市村正也（名工大） |
| (6) |
11:15-11:40 |
水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 |
○安田智成・加藤正史・市村正也（名工大） |
| (7) |
11:40-12:05 |
陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 |
○木村允哉・加藤正史・市村正也（名工大） |
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12:05-13:00 |
昼食 （ 55分 ） |
5月19日(木) MBE
座長: 成塚重弥（名城大）
13:00 - 14:40 |
| (8) |
13:00-13:25 |
アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長 |
○内山翔太・林 家弘・阿部亮太・丸山隆浩・成塚重弥（名城大） |
| (9) |
13:25-13:50 |
RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 |
○田畑拓也・白 知鉉・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） |
| (10) |
13:50-14:15 |
Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 |
○熊谷啓助・小路耕平・河合 剛・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） |
| (11) |
14:15-14:40 |
BGaPの分子線エピタキシー成長 |
○浦上法之・深見太志・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） |
| |
14:40-14:50 |
休憩 （ 10分 ） |
5月19日(木) MOVPE その1
座長: 岩谷素顕（名城大）
14:50 - 16:30 |
| (12) |
14:50-15:15 |
MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 |
○大内澄人・三宅秀人・平松和政（三重大） |
| (13) |
15:15-15:40 |
(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 |
○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大） |
| (14) |
15:40-16:05 |
グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 |
○好田慎一・瀧澤俊幸・長尾宣明・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） |
| (15) |
16:05-16:30 |
MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン |
○高野 泰・高木達也・見崎 龍・宮原 亮（静岡大） |
| |
16:30-16:40 |
休憩 （ 10分 ） |
5月19日(木) MOVPE その２
座長: 渕 真悟（名大）
16:40 - 17:55 |
| (16) |
16:40-17:05 |
B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長 |
○伊藤 駿・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・竹原孝祐・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） |
| (17) |
17:05-17:30 |
X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長 |
○田中大樹・飯田大輔・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大） |
| (18) |
17:30-17:55 |
AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 |
○矢木康太・加賀 充・山下浩司・竹田健一郎・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） |
5月20日(金) 午前 輸送特性
座長: 本田善央（名大）
09:00 - 10:15 |
| (19) |
09:00-09:25 |
表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 |
○森 雅之・中山幸二・中谷公彦・安井雄一郎・前澤宏一（富山大） |
| (20) |
09:25-09:50 |
III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 |
○山下浩司・加賀 充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） |
| (21) |
09:50-10:15 |
窒化物半導体トンネル接合の作製 |
○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） |
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10:15-10:25 |
休憩 （ 10分 ） |
5月20日(金) 発光デバイス
座長: 山口雅史（名大）
10:25 - 12:05 |
| (22) |
10:25-10:50 |
ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化 |
○渕 真悟・小林俊一・大島弘嗣・竹田美和（名大） |
| (23) |
10:50-11:15 |
反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 |
○竹原孝祐・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・伊藤 駿・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） |
| (24) |
11:15-11:40 |
AlGaN系紫外発光素子の通電特性 ～ UV-LEDの劣化メカニズム ～ |
○朴 貴珍・杉山貴之・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・稲津哲彦・藤田武彦・ぺルノー シリル・平野 光（創光科学） |
| (25) |
11:40-12:05 |
AlGaN量子井戸構造の内部量子効率 |
○山本準一・伴 和仁・竹田健一郎・井手公康・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） |
| |
12:05-13:00 |
昼食 （ 55分 ） |
5月20日(金) センサ、撮像
座長: 竹内哲也（名城大）
13:00 - 15:05 |
| (26) |
13:00-13:25 |
MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発 |
○舘 忠裕・犬塚博章・藤村直也・近藤嵩輝・難波秀平・村松慎也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） |
| (27) |
13:25-13:50 |
Ga2O3酸素センサの作製と評価 |
○山本貴弘・茅野真也・池田紘基・鈴木嘉文・以西雅章（静岡大） |
| (28) |
13:50-14:15 |
TiO2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性 |
○中村郁太・佐藤孝紀・以西雅章（静岡大）・星 陽一（東京工芸大） |
| (29) |
14:15-14:40 |
スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 |
○中村光宏・丹羽彬夫・以西雅章（静岡大） |
| (30) |
14:40-15:05 |
高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価 |
○丸山大地・岡田 浩・関口寛人・若原昭浩（豊橋技科大） |
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15:05-15:15 |
休憩 （ 10分 ） |
5月20日(金) 午後 太陽電池
座長: 若原昭浩（豊橋技科大）
15:15 - 16:30 |
| (31) |
15:15-15:40 |
ZnO，SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池 |
○服部 翔・市村正也（名工大） |
| (32) |
15:40-16:05 |
非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製 |
○中尾達郎・桑原洋介・藤山泰治・藤井崇裕・杉山 徹・山本翔太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） |
| (33) |
16:05-16:30 |
窒化物太陽電池の電極構造検討 |
○山本翔太・森田義己・桑原洋介・藤井崇裕・杉山 徹・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） |
| |
16:30-16:40 |
休憩 （ 10分 ） |
5月20日(金) FET
座長: 岸本 茂（名大）
16:40 - 17:55 |
| (34) |
16:40-17:05 |
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ |
○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大） |
| (35) |
17:05-17:30 |
GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 |
○池田和弥・磯部康裕・一木宏充・堀尾尚史・榊原辰幸・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） |
| (36) |
17:30-17:55 |
原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 |
○宮崎英志・合田祐司・岸本 茂・水谷 孝（名大） |
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