11月27日(木) 午前
09:25 - 18:05 |
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09:25-09:30 |
委員長挨拶（開会） （ 5分 ） |
| (1) |
09:30-09:55 |
RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 |
○関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） |
| (2) |
09:55-10:20 |
GaNナノコラムにおけるランダムレージング |
○酒井 優・岸野克巳・菊池昭彦・関口寛人（上智大/JST）・猪瀬裕太（上智大）・江馬一弘・大槻東巳（上智大/JST） |
| (3) |
10:20-10:45 |
選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討 |
○塩田倫也・富田祐貴・杉山正和・霜垣幸浩・中野義昭（東大） |
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10:45-10:55 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
10:55-11:20 |
ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価 |
○小林 篤・上野耕平・下元一馬・太田実雄（東大）・藤岡 洋・尾嶋正治（東大/JST）・天内英貴・長尾 哲・堀江秀善（三菱化学） |
| (5) |
11:20-11:45 |
深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化 |
○武田智仁・安斉秀晃・川西英雄（工学院大） |
| (6) |
11:45-12:10 |
RF-MBE法を用いたLiAlO2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価 |
○高木悠介・野沢浩一・山口智広・荒木 努・名西 憓之（立命館大） |
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12:10-13:10 |
昼食 （ 60分 ） |
| (7) |
13:10-13:35 |
ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性 |
○遠野充明・張 晶・直井美貴・酒井士郎（徳島大）・和地順蔵（SCIVAX） |
| (8) |
13:35-14:00 |
GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減 |
○本田 徹・小宮山重利・増山佳宏・渡邊謙二（工学院大） |
| (9) |
14:00-14:25 |
45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ |
○川口真生・田村聡之・油利正昭（パナソニック） |
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14:25-14:35 |
休憩 （ 10分 ） |
| (10) |
14:35-15:00 |
400mW級GaN系青紫色半導体レーザ |
○亀山真吾・久納康光・井下京治・井上大二朗・別所靖之・後藤壮謙・國里竜也（三洋電機） |
| (11) |
15:00-15:25 |
P型伝導InN実現とその物性評価 ～ 現状と問題点について ～ |
○吉川明彦・王 新強・崔 成伯・石谷善博（千葉大） |
| (12) |
15:25-15:50 |
超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス |
○崔 成伯・結城明彦・渡邊宏志・石谷善博・吉川明彦（千葉大） |
| (13) |
15:50-16:15 |
マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード |
○船戸 充・林 敬太・上田雅也・川上養一（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学） |
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16:15-16:25 |
休憩 （ 10分 ） |
| (14) |
16:25-16:50 |
AlGaNのMOVPE成長中における基板の反り制御 |
○小川原悠哉・生川満久・三宅秀人・平松和政（三重大） |
| (15) |
16:50-17:15 |
周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価 |
○片桐佑介・奥浦一輝・呉 潔君・三宅秀人・平松和政（三重大）・江崎哲也・桑野範之（九大） |
| (16) |
17:15-17:40 |
230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化 |
○野口憲路（理研/埼玉大/JST）・平山秀樹（理研/JST）・乗松 潤（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST） |
| (17) |
17:40-18:05 |
ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED |
○乗松 潤・平山秀樹・藤川紗千恵・野口憲路（理研/埼玉大/JST）・高野隆好（理研/パナソニック電工）・椿 健治（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST） |
11月28日(金) 午前
09:00 - 16:35 |
| (18) |
09:00-09:25 |
280nm帯InAlGaN高出力紫外LED |
○平山秀樹・藤川紗千恵（理研/埼玉大/JST）・高野隆好・椿 健治（松下電工） |
| (19) |
09:25-09:50 |
MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体計算解析 |
○平子 晃・市川晶也・中村健一・大川和宏（東京理科大） |
| (20) |
09:50-10:15 |
InGaNの2種の柱面からの発光特性 |
○蟹江 壽・明石健一・積木秀実（東京理科大） |
| (21) |
10:15-10:40 |
非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測 |
○山口敦史（金沢工大） |
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10:40-10:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (22) |
10:50-11:15 |
AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析 |
○中島 敦・板垣圭一・堀尾和重（芝浦工大） |
| (23) |
11:15-11:40 |
AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計 |
○酒井亮輔・岡井智隆・塩島謙次・葛原正明（福井大） |
| (24) |
11:40-12:05 |
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ～ HfO2/AlGaN界面の影響 ～ |
○林 慶寿・杉浦 俊・岸本 茂・水谷 孝（名大） |
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12:05-13:05 |
昼食 （ 60分 ） |
| (25) |
13:05-13:30 |
ALD成膜HfO2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価 |
○合田祐司・林 慶寿・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） |
| (26) |
13:30-13:55 |
p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs |
○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） |
| (27) |
13:55-14:20 |
100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器 |
○多木俊裕・吉川俊英・金村雅仁・今西健治・牧山剛三・岡本直哉・常信和清・原 直紀（富士通/富士通研） |
| (28) |
14:20-14:45 |
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化 |
○鈴江隆晃・鈴木暢倫・野村幸靖・江川孝志（名工大） |
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14:45-14:55 |
休憩 （ 10分 ） |
| (29) |
14:55-15:20 |
Flat Surface and High Electron Mobility of InAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructures |
○Masanobu Hiroki・Narihiko Maeda・Takashi Kobayashi（NTT） |
| (30) |
15:20-15:45 |
EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析 |
○石堂輝樹・松尾尚慶・片山琢磨・上田哲三・井上 薫・上田大助（パナソニック） |
| (31) |
15:45-16:10 |
AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション |
○束原 肇・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
| (32) |
16:10-16:35 |
Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 |
○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
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