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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 須原 理彦 (首都大) 副委員長 藤代 博記 (東京理科大) 幹事 大石 敏之 (佐賀大)， 岩田 達哉 (富山県立大) 幹事補佐 小谷 淳二 (富士通研)， 堤 卓也 (NTT) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 武山 真弓 (北見工大) 副委員長 中村 雄一 (豊橋技科大) 幹事 中澤 日出樹 (弘前大) 幹事補佐 木村 康男 (東京工科大)， 寺迫 智昭 (愛媛大)， 廣瀬 文彦 (山形大) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 有賀 博 (三菱電機) 副委員長 八坂 洋 (東北大) 幹事 川北 泰雅 (古河電工)， 永井 正也 (阪大) 幹事補佐 中島 史人 (NTT) 日時 2019年11月21日(木) 10：10～16：10 2019年11月22日(金) 09：40～15：00 会場 静岡大学浜松キャンパス1号館10F 1005室（浜松市中区城北3-5-1．遠鉄バスのりば等 JR東海浜松駅前北口バスターミナル15,16番のりばから 全路線 「静岡大学」下車 (所要時間約20分、1時間に10本程度運行)．http://www.shizuoka.ac.jp/campuslife/campus/hamamatsu/index.html） 議題 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 11月21日(木) 午前 （10：10～12：20） (1) 10:10 - 10:30 ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査 ○山本 燎・加納寛人・中村篤志・居波 渉（静岡大） (2) 10:30 - 10:50 ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性 ○大橋紘誠・藤原健八・山本幹大・原 和彦（静岡大）・酒井 優（山梨大）・光野徹也（静岡大） (3) 10:50 - 11:10 化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性 濱本昂大・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大） (4) 11:10 - 11:30 化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性 ○寺迫智昭・濱本昂大・山田健太・甲田真一朗（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大） −−− 昼食 （ 50分 ） −−− 11月21日(木) 午後 （12：20～13：55） (5) 12:20 - 12:40 電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善 ○安部功二・大竹徳人（名工大） (6) 12:40 - 13:00 β-Ga2O3 SBDを利用したRF－DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性 ○橋川 誠・浦田幸佑・竹ノ畑拓海・大石敏之・大島孝仁（佐賀大） (7) 13:00 - 13:20 リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 ○加藤大望・梶原瑛祐・向井 章・大野浩志・新留 彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也（東芝） (8) 13:20 - 13:40 ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価 ○山田真嗣・櫻井秀樹（名大/アルバック）・長田大和・中村敏幸・上村隆一郎（アルバック）・須田 淳・加地 徹（名大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月21日(木) 午後 （13：55～15：30） 座長: 川口 真生(パナソニック) (9) 13:55 - 14:15 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） (10) 14:15 - 14:35 両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価 ○松久快生・小林佑斗・石原弘基・杉浦真子・杉田篤史・井上 翼・中野貴之（静岡大） (11) 14:35 - 14:55 AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ ○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇（名城大）・三宅秀人（三重大） (12) 14:55 - 15:15 MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・岡田成仁・只友一行（山口大）・竹内哲也（名城大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月21日(木) 午後 （15：30～16：10） 座長: 川北 泰雅(古河電工) (13) 15:30 - 15:50 c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 ○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） (14) 15:50 - 16:10 AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 ○小田 薫・飯田涼介・岩山 章・清原一樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） 11月22日(金) 午前 （09：40～10：55） (15) 09:40 - 10:00 蒸着Sn膜の直接硫化による二硫化錫薄膜の結晶性評価 ○田村優樹・中村篤志（静岡大） (16) 10:00 - 10:20 有機太陽電池用反射防止ナノテクスチャに関する実験検討 ○平賀健太・久保田 繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野 潤（早大）・廣瀬文彦（山形大） (17) 10:20 - 10:40 エレクトロスピニング法を用いたポリウレタンファイバーマットのコンポジット化 ○森 拓海・中村篤志（静岡大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月22日(金) 午前 （10：55～11：55） (18) 10:55 - 11:15 pHセンサにおける電極表面特異性の評価 ○新澤亮介・中村篤志（静岡大） (19) 11:15 - 11:35 非酵素グルコースセンサの作製 ○丹羽貴大・中村篤志（静岡大） (20) 11:35 - 11:55 脳深部光刺激用LEDプローブの実現に向けた針型構造の作製 ○中山雄晟・安永弘樹（豊橋技科大）・稲波千尋・大澤匡弘（名古屋市大）・関口寛人（豊橋技科大/JSTさきがけ） −−− 昼食 （ 50分 ） −−− 11月22日(金) 午後 （12：45～13：45） 座長: 山口 敦史(金沢工大) (21) 12:45 - 13:05 DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展 ○最上耀介（理研/埼玉大）・大澤篤史・尾崎一人・谷岡千丈・前岡淳史（SCREEN）・糸数雄吏・桑葉俊輔（理研/埼玉大）・定 昌史・前田哲利（理研）・矢口裕之（埼玉大）・平山秀樹（理研） (22) 13:05 - 13:25 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 ○船戸 充・小林敬嗣・川上養一（京大） (23) 13:25 - 13:45 UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月22日(金) 午後 （14：00～15：00） 座長: 川口 真生(パナソニック) (24) 14:00 - 14:20 InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討 ○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー） (25) 14:20 - 14:40 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 ○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー） (26) 14:40 - 15:00 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 ○角谷正友（物質・材料研究機構） 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎懇親会情報 日時：11/21(木) 18:00～ 会場：とろろや メイワン店（浜松駅ビル内） https://tabelog.com/shizuoka/A2202/A220201/22000897/ 参加費：4,500円（予定） ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月23日(月)～24日(火) 東北大学・電気通信研究所 [10月18日(金)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2020年1月31日(金) 機械振興会館 地下3階6号室 [11月11日(月)] テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波/一般 【問合先】 東脇 正高（情報通信研究機構） TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527 E-mail : m       大石 敏之(佐賀大学) TEL : 0952-28-8642 E-mail :oi 104cc  -u ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月26日(火) (予定) 機械振興会館 地下3階1号室 [9月17日(火)] テーマ：エネルギー技術、半導体電力変換、電池、電気化学デバイス、材料、一般 2020年2月28日(金)～29日(土) (予定) 東京工科大片研BF1プレゼン室 [1月24日(金)] テーマ：若手ミーティング 【問合先】 寺迫 智昭 (愛媛大学) TEL: 089-927-9789 FAX: 089-927-9790 E-mail:      a mze -u☆LQE研究会 【問合先】 川北 泰雅（古河電気工業） TEL 045-311-1219 E-mail:         elect c 永井 正也（大阪大学大学院） TEL 06-6850-6507 E-mail: m  impes -u◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2019-11-25 11:30:48 |
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