1月28日(木) 午前
10:00 - 12:00 |
| (1) |
10:00-10:30 |
［招待講演］Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness Down to 2 nm |
○Xiao Yu・Jian Kang・Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（Univ. of Tokyo） |
| (2) |
10:30-11:00 |
［招待講演］Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性 |
○小田 穣・佐久間 究・上牟田雄一・齋藤真澄（東芝） |
| (3) |
11:00-11:30 |
［招待講演］トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 |
○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳 永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川 貴・昌原明植・遠藤和彦（産総研） |
| (4) |
11:30-12:00 |
IEDM2015を振り返って 高柳真理子（東芝） |
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12:00-13:30 |
昼食 （ 90分 ） |
1月28日(木) 午後
13:30 - 16:20 |
| (5) |
13:30-14:00 |
［招待講演］ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象 |
○町田友樹・守谷 頼・佐田洋太・山口健洋・荒井美穂・矢吹直人・森川 生・増渕 覚（東大）・上野啓司（埼玉大） |
| (6) |
14:00-14:30 |
［招待講演］Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス |
○竹中 充・金 栄現・韓 在勲・亢 健・一宮佑希・程 勇鵬・朴 珍權・金 相賢・高木信一（東大） |
| (7) |
14:30-15:00 |
［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 |
○新居浩二・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） |
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15:00-15:20 |
休憩 （ 20分 ） |
| (8) |
15:20-15:50 |
［招待講演］次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ |
○池上一隆・野口紘希・高谷 聡・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・北川英二・落合隆夫・下村尚治・才田大輔・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） |
| (9) |
15:50-16:20 |
［招待講演］極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET |
○井田次郎（金沢工大） |
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