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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 橋詰 保 (北大) 副委員長 加地 徹 (豊田中研) 幹事 原 直紀 (富士通研)， 津田 邦男 (東芝) 幹事補佐 須原 理彦 (首都大東京)， 上田 哲三 (パナソニック) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大) 副委員長 竹村 泰司 (横浜国大) 幹事 今井 欽之 (NTT)， 野毛 悟 (沼津高専) 幹事補佐 島村 俊重 (NTT)， 阿部 克也 (信州大) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 河口 仁司 (奈良先端大) 副委員長 勝山 造 (住友電工) 幹事 佐藤 健二 (NEC)， 宮本 智之 (東工大) 日時 2010年11月11日(木) 10：00～17：15 2010年11月12日(金) 10：00～17：00 会場 大阪大学 中ノ島センター 10Fホール（〒530-0005 大阪市北区中之島4-3-53．京阪中之島線 中之島駅より 徒歩約５分または地下鉄四つ橋線 肥後橋駅より 徒歩約１０分．http://www.onc.osaka-u.ac.jp/others/map/index.php．パナソニック 上田哲三．06-6444-21） 議題 窒化物および混晶半導体デバイス 11月11日(木) 午前 （10：00～11：40） (1) 10:00 - 10:25 触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性 三浦仁嗣・大谷孝史・黒田朋義・西山 洋・○安井寛治（長岡技科大） (2) 10:25 - 10:50 RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 ○荒木 努・川島圭介・山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） (3) 10:50 - 11:15 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長 ○本田 徹・林 才人・後藤大雅・井垣辰浩（工学院大） (4) 11:15 - 11:40 Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討 ○田辺 悟・西尾 礼・小林由貴・根本幸祐・宮本智之（東工大） 11月11日(木) 午後 （13：00～17：15） (5) 13:00 - 13:25 SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長 ○奥村建太・野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・江龍 修（名工大） (6) 13:25 - 13:50 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN ○藤田浩平・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松 潤・平山秀樹（理研） (7) 13:50 - 14:15 電子線励起法による深紫外光源用 Si-doped AlGaN の作製と特性評価 ○島原佑樹・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (8) 14:30 - 14:55 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 ○山口敦史（金沢工大）・小島一信（京大） (9) 14:55 - 15:20 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ～ ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） (10) 15:20 - 15:45 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 ○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡 研（ウシオ電機）・船戸 充・川上養一（京大） (11) 15:45 - 16:10 AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 ○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志（名工大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (12) 16:25 - 16:50 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST） (13) 16:50 - 17:15 ミリ波高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・金村雅仁・増田 哲・中舍安宏・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀・尾崎史朗・中村哲一（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） 11月12日(金) 午前 （10：00～11：40） (14) 10:00 - 10:25 GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） (15) 10:25 - 10:50 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 ○菊田大悟・成田哲生・高橋直子・片岡恵太・木本康司・上杉 勉・加地 徹（豊田中研）・杉本雅裕（トヨタ自動車） (16) 10:50 - 11:15 GaN自立基板を用いた縦型ダイオード ○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属） (17) 11:15 - 11:40 低転位GaN基板上縦型HFET ○岡田政也・斎藤 雄・横山満徳・中田 健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山 誠・勝山 造・中村孝夫（住友電工） 11月12日(金) 午後 （13：00～17：00） 【パネルセッション】「GaNトランジスターの進展と課題」 １）ノーマリオフのためのデバイス構造（70分） 司会：橋詰保（北大） （休憩10分） ２）電流変動（コラプス）の機構と制御法（70分） 司会：橋詰保（北大） （休憩10分） ３）GaNデバイスの長所・弱点（70分） 司会：加地徹（豊田中研） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎11日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加下さい。 日時：2010年11月11日（木） 17：30開始 場所：大阪大学 中ノ島センター９Ｆ 交流サロン （研究会会場の下の階です。） 会費：一般 \3,500、学生￥2,000 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月16日(木)～17日(金) 東北大学 電気通信研究所 [10月24日(日)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2011年1月13日(木)～14日(金) 機械振興会館 [11月11日(木)] テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 2011年2月23日(水)～24日(木) 北海道大学 百年記念会館 [12月8日(水)] テーマ：機能ナノデバイス及び関連技術 【問合先】 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E-mail :     o       津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E-mail :   o   ba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E-mail :      t  上田 哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-mail：   zopa c☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月29日(月)～12月1日(水) 九州大学医学部百年講堂 [9月10日(金)] テーマ：デザインガイア2010 ―VLSI設計の新しい大地― 2011年2月10日(木) 機械振興会館 [12月13日(月)] テーマ：電池技術関連，一般 ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月17日(金) 機械振興会館 [10月15日(金)] テーマ：半導体レーザ関連技術，及び一般 2011年1月27日(木)～28日(金) 大阪大学 [11月15日(月)] テーマ：フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶・ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般 【問合先】 佐藤 健二（日本電気株式会社） TEL 044-431-7616, FAX 044-431-7619 E-mail: s  n  c宮本 智之（東京工業大学） TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977 E-mail: t   tpi  ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2010-11-05 13:44:13 |
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