10月13日(木) 午前 特別セッションテーマ ”InNはどこまでよくなったか？”
09:30 - 12:20 |
| (1) |
09:30-09:50 |
凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化 |
○武藤大祐・直井弘之・荒木 努・北川幸雄・黒内正仁・羅 ヒョンソク・名西やすし（立命館大） |
| (2) |
09:50-10:10 |
常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH3/TMIモル比依存性 |
○三輪浩士・永井泰彦・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
| (3) |
10:10-10:30 |
ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 ～ 無極性InNの検討 ～ |
○熊谷裕也・露口招弘・寺木邦子・荒木 努・直井弘之・名西やすし（立命館大） |
| (4) |
10:30-10:50 |
原子状水素照射によるInNの極性評価 |
○早川祐矢・武藤大祐・直井弘之・鈴木 彰・荒木 努・名西やすし（立命館大） |
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10:50-11:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (5) |
11:00-11:20 |
RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価 |
○大橋達男・石沢峻介・Petter Holmström・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） |
| (6) |
11:20-11:40 |
RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価 |
○黒内正仁・高堂真也・直井弘之・荒木 努・名西やすし（立命館大） |
| (7) |
11:40-12:00 |
AlInN3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価 |
○寺嶋 亘・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大） |
| (8) |
12:00-12:20 |
CP2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果 |
○永井泰彦・三輪浩士・丹羽弘和・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
10月13日(木) 午後 特別セッションテーマ "GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか？"
13:30 - 18:00 |
| (9) |
13:30-13:50 |
C帯170W出力GaN-HEMTの開発 |
○高田賢治・桜井博幸・松下景一・増田和俊・高塚眞治・蔵口雅彦・鈴木拓馬・鈴木 隆・広瀬真由美・川崎久夫・高木一考・津田邦男（東芝） |
| (10) |
13:50-14:10 |
Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs |
○Kenji Shiojima・Takashi Makimura・Tetsuya Suemitsu・Naoteru Shigekawa・Masanobu Hiroki・Haruki Yokoyama（NTT） |
| (11) |
14:10-14:30 |
高温・高出力動作 Pnp AlGaN/GaN HBTs |
○熊倉一英・牧本俊樹（NTT） |
| (12) |
14:30-14:50 |
リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT |
○中田 健・川崎 健・八重樫誠司（ユーディナデバイス） |
| (13) |
14:50-15:10 |
GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ |
○中澤敏志・上田哲三・井上 薫・田中 毅（松下電器）・石川博康・江川孝志（名工大） |
| (14) |
15:10-15:30 |
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価 |
○片山義章・石川博康・江川孝志（名工大） |
| |
15:30-15:40 |
休憩 （ 10分 ） |
| (15) |
15:40-16:00 |
AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程 |
○小谷淳二・葛西誠也・長谷川英機・橋詰 保（北大） |
| (16) |
16:00-16:20 |
GaN バッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究 |
○檜木啓宏（立命館大）・廣山雄一・土屋忠厳・山田朋幸・岩見正之・城川潤二郎（新機能素子研究開発協会）・荒木 努（立命館大）・鈴木 彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大） |
| (17) |
16:20-16:40 |
AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク |
○山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・岩見正之（新機能素子研究開発協会）・荒木 努（立命館大）・鈴木 彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大） |
| (18) |
16:40-17:00 |
Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響 |
○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔（北海道工大）・金 聖祐・鈴木敏正（日本工大） |
| (19) |
17:00-17:20 |
n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性 |
○重川直輝・西村一巳・横山春喜（NTT）・宝川幸司（神奈川工科大） |
| (20) |
17:20-17:40 |
RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaNナノ細線ネットワークの形成 |
○及川 武・佐藤威友・長谷川英機・橋詰 保（北大） |
| (21) |
17:40-18:00 |
薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET |
○東脇正高・小野島紀夫・松井敏明（NICT） |
10月14日(金) 午前 結晶成長・特性評価
09:00 - 14:00 |
| (22) |
09:00-09:20 |
四元混晶InAlBNの相分離に関するシミュレーション |
○木村健司・松岡隆志（東北大） |
| (23) |
09:20-09:40 |
PLD法により低温成長したⅢ族窒化物の特性 |
○藤岡 洋（東大/神奈川科学技術アカデミー）・太田実雄・井上 茂・小林 篤・岡本浩一郎（東大）・金 太源・松木伸行（神奈川科学技術アカデミー） |
| (24) |
09:40-10:00 |
化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積 |
○小林俊章・平山航史・江川慎一・秋山誠和子・杉本浩一・馬場太一・本田 徹・川西英雄（工学院大） |
| (25) |
10:00-10:20 |
GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討 |
○馬場太一・秋山誠和子・江川慎一・小林俊章・蓮沼範行・本田 徹・川西英雄（工学院大） |
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10:20-10:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (26) |
10:30-10:50 |
研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価 |
○増田規宏・石賀 章・劉 玉懐・三宅秀人・平松和政（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・原口雅也・桑野範之（九大） |
| (27) |
10:50-11:10 |
高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響 |
○勝野琢弥・大西 孝・劉 玉懐・黎 大兵（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・三宅秀人・平松和政（三重大） |
| (28) |
11:10-11:30 |
昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長 |
○土屋法隆・クリッシュナン バラクリッシュナン・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・下野健二・野呂匡志・高木 俊（イビデン）・古庄智明（シクスオン） |
| (29) |
11:30-11:50 |
高品質SiCウェーハの開発 |
○古庄智明・小林良平・佐々木 信・林 利彦・木下博之・塩見 弘（シクスオン） |
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11:50-13:00 |
昼食 （ 70分 ） |
| (30) |
13:00-13:20 |
ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ |
○古川拓也・木村 健・佐藤威友・葛西誠也・長谷川英機・橋詰 保（北大） |
| (31) |
13:20-13:40 |
AlGaN/GaNへテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ |
○松尾一心・木村 健・長谷川英機・橋詰 保（北大） |
| (32) |
13:40-14:00 |
窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成 |
○藤井克司（JST）・小野雅人・伊藤高志・岩城安浩（東京理科大）・大川和宏（東京理科大/JST） |
10月14日(金) 午後 特別セッションテーマ "GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは？"
14:00 - 16:30 |
| (33) |
14:00-14:20 |
高効率・高出力GaN系半導体レーザ |
○蔵本恭介・大野彰仁（三菱電機）・山田智雄・岡川広明（三菱電線）・川津善平・川崎和重・冨田信之・塩沢勝臣・金本恭三・渡辺 寛・竹見政義・八木哲哉（三菱電機）・村田博昭（三菱電線）・島 顕洋（三菱電機） |
| (34) |
14:20-14:40 |
光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ |
○狩野隆司・野村康彦・畑 雅幸・井上大二朗・庄野昌幸（三洋電機） |
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14:40-14:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (35) |
14:50-15:10 |
ＲＦ分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価 |
○菊池昭彦・多田 誠・岸野克巳（上智大） |
| (36) |
15:10-15:30 |
330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測 |
○平山秀樹・高野隆好（理研）・大橋智昭（理研/埼玉大）・藤川紗千恵（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・近藤行廣（理研） |
| (37) |
15:30-15:50 |
InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係 |
○金田昭男・船戸 充（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大） |
| (38) |
15:50-16:10 |
InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光 |
○船戸 充・小谷晃央・近藤 剛・西塚幸司（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大） |
| (39) |
16:10-16:30 |
2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価 |
○池永和正・生方映徳・山口 晃・阿久津仲男・藤居勤二・松本 功（大陽日酸） |
10月15日(土) 午前 窒化物半導体に関するディスカッションセッション
09:00 - 12:00 |
| (40) |
09:00-10:00 |
１．GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばせるのか？
ディスカッションリーダー：塩島 謙次
内容：GaN電子デバイスの現状と課題のピックアップ
エピとデバイス特性の相関 |
| (41) |
10:00-11:00 |
２．内部量子効率100％を目指して
ディスカッションリーダー：川上 養一
検討内容：極性とデバイス性能、ドーピング効率、
転位と発光効率、組成不均一性、点欠陥と発光。 |
| (42) |
11:00-12:00 |
３．ナイトライド基板の将来
ディスカッションリーダー：碓井 彰
内容：気相成長法 vs.液相成長法 vs.フラックス法 vs.アンモノサーマル法
生産能力、コスト |
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