12月14日(金) 午前
10:00 - 18:00 |
| (1) |
10:00-10:20 |
パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上 |
○越知誠弘・菅原祐太・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器） |
| (2) |
10:20-10:40 |
半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成 |
○鮫島俊之（東京農工大）・佐野直樹（ハイテックシステムズ）・内藤勝男（日新イオン機器） |
| (3) |
10:40-11:00 |
レーザプラズマ軟X線照射がエキシマ・レーザによるa-Si膜の結晶化に与える効果 |
高梨泰幸・○松尾直人・上拾石和也・部家 彰・天野 壮・宮本修治・望月孝晏（兵庫県立大） |
| (4) |
11:00-11:20 |
Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析 |
○葛岡 毅・辻 博史・桐原正治・鎌倉良成・谷口研二（阪大） |
| (5) |
11:20-11:40 |
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性 |
○鈴木亮太・須田 淳・木本恒暢（京大） |
| (6) |
11:40-12:00 |
極薄トンネル酸化膜を用いたバイオナノドットフローティングゲートMOSデバイスの充放電特性 （講演なし） |
○梅田朋季・矢野裕司・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器） |
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12:00-13:00 |
昼食 （ 60分 ） |
| (7) |
13:00-13:30 |
Effective Activation of Phosphorus atom in Si film using ELA |
○Takashi Noguchi（Univ. of Ryukyus） |
| (8) |
13:30-13:50 |
ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測 |
○古川弘和・東 清一郎・岡田竜弥・加久博隆・村上秀樹・宮崎誠一（広島大） |
| (9) |
13:50-14:10 |
光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測 |
○原 明人（東北学院大）・田村直義・中村友二（富士通研） |
| (10) |
14:10-14:30 |
Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価 |
○平岩佑介（京大）・安藤裕一郎・熊野 守・上田公二・佐道泰造・宮尾正信（九大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大） |
| (11) |
14:30-14:50 |
Xe＋プレアモルファス化注入を用いたGe n+/p接合形成 |
○福永哲也・芝原健太郎（広島大） |
| (12) |
14:50-15:10 |
共役反転格子フォトニック結晶での導波解析 |
○國松俊佑（京大）・寺井慶和（阪大）・前田佳均（京大） |
| (13) |
15:10-15:30 |
シリコン太陽電池用SiNxパッシベーション膜におけるNH3プラズマ界面改質効果 |
○岸山友紀・高橋 優・大鐘章義・Athapol Kitiyanan・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） |
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15:30-15:50 |
休憩 （ 20分 ） |
| (14) |
15:50-16:20 |
［招待講演］シリコンナノ結晶の物性と応用 |
○藤井 稔（神戸大） |
| (15) |
16:20-16:40 |
傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード |
○日吉 透（京大）・堀 勉（日立）・須田 淳・木本恒暢（京大） |
| (16) |
16:40-17:00 |
4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定 |
○岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） |
| (17) |
17:00-17:20 |
Poly-Si TFTを用いたデバイスレベルのニューラルネットワーク |
○小野寺 亮・笠川知洋・小嶋明樹・木村 睦（龍谷大）・原 弘幸・井上 聡（セイコーエプソン） |
| (18) |
17:20-17:40 |
アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性 |
○山口正樹（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大） |
| (19) |
17:40-18:00 |
磁気光学空間光変調器のPoly-Si TFTによるアクティブマトリクス駆動の動作検討 |
○大井秀夫・木村 睦（龍谷大）・鈴木洋一・石川省吾・梅澤浩光（FDK）・高木宏幸・金 周映・内田裕久・井上光輝（豊橋技科大） |
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