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★電子部品・材料研究会（CPM）
専門委員長 竹村 泰司 (横浜国大) 副委員長 高野 泰 (静岡大)
幹事 島村 俊重 (NTT)， 阿部 克也 (信州大)
幹事補佐 圓佛 晃次 (NTT)， 佐藤 知正 (神奈川大)
日時 2011年10月26日(水) 13：00～17：15
2011年10月27日(木) 09：30～11：10
会場 福井大学 工学部 産学官連携本部研修室（福井県福井市文京3丁目9番1号．http://www.u-fukui.ac.jp/cont_about/outline/access.html．福井大学 工学部 電気電子工学科 山本 ?勇）
議題 薄膜プロセス・材料，一般
10月26日(水) 午後 （13：00～17：15）
(1) 13:00 - 13:25
複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO2薄膜の作製と構造評価
○横本拓也・前田洋輔・宮澤 匠・山上朋彦・阿部克也（信州大）
(2) 13:25 - 13:50
低電圧駆動フレキシブル有機EL素子のためのITO薄膜の検討
○劉 暢・松井博章・木伏貴映・清水英彦・岩野春男・福嶋康夫・永田向太郎・坪井 望・野本隆宏（新潟大）
(3) 13:50 - 14:15
RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性
○樫出 淳・名越克仁・富口祐輔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・永田向太郎・福嶋康夫・坪井 望・野本隆宏（新潟大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(4) 14:30 - 14:55
Bi2Sr2CaCu2Oxスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究
○加藤孝弘・浅野武史・須永 悟（長岡技科大）・川上 彰（NICT）・安井寛治・濱崎勝義（長岡技科大）
(5) 14:55 - 15:20
MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製
○堀田 徹・杉田憲一・A. G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）
(6) 15:20 - 15:45
MOCVD法によるInGaN膜を被覆した高耐食性固体高分子形燃料電池用ステンレス鋼板製セパレータ
○嶋橋政徳（アイテック）・松井和也（福井大）・岡田晃治（アイテック）・杉田憲一（福井大）・佐々木 肇（アイテック）・山本アキ勇（福井大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(7) 16:00 - 16:25
光化学堆積法による新たな混晶半導体CuxZnyS薄膜の作製
○満 都拉・市村正也（名工大）
(8) 16:25 - 16:50
遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作
○武田大樹・都築 暁・籾山克章・鹿又健作・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大）
(9) 16:50 - 17:15
NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用
○武山真弓・佐藤 勝・野矢 厚（北見工大）
10月27日(木) 午前 （09：30～11：10）
(10) 09:30 - 09:55
SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製
○坂口優也・牛草遼平・周 澤宇・山上朋彦・阿部克也（信州大）
(11) 09:55 - 10:20
TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製
○逸見充則・井口裕哉・酒井崇史・杉田暁彦・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大）
(12) 10:20 - 10:45
MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長
○三原章宏・杉田憲一・Ashraful G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）・渡邉則之・重川直輝（NTT）
(13) 10:45 - 11:10
NH3分解触媒を用いたInNのMOVPE成長
○廣長大造・杉田憲一・A.g. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
11月17日(木)～18日(金) 京都大学桂キャンパス 桂ホール [9月16日(金)] テーマ：窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般
11月28日(月)～30日(水) ニューウェルシティ宮崎 [9月1日(木)] テーマ：デザインガイア2011 -VLSI設計の新しい大地―
Last modified: 2011-08-23 13:43:39
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