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★超伝導エレクトロニクス研究会（SCE） 専門委員長 神代 暁 (産総研) 幹事 竹内 尚輝 (横浜国大)， 三木 茂人 (NICT) 幹事補佐 赤池 宏之 (大同大) 日時 2019年 8月 9日(金) 10：00～17：05 会場 産業技術総合研究所 つくば中央第2事業所 2-12棟 2階 第6会議室（「つくば駅」から各種バスまたはタクシーをご利用ください。https://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html） 議題 デバイス関係、薄膜、一般 8月9日(金) 午前 （10：00～12：05） (1) 10:00 - 10:25 Development of cavity structures with broadband optical absorption -- Superconducting transition edge sensors (TESs) array -- ○Toshio Konno・Sachiko Takasu・Kaori Hattori・Daiji Fukuda・Daiji Daiji（AIST） (2) 10:25 - 10:50 入力相互インダクタンス増大によるマイクロ波SQUIDマルチプレクサの電流雑音低減 ○平山文紀（産総研）・中島裕貴（JAXA）・神代 暁・山森弘毅・永沢秀一・佐藤 昭（産総研）・山崎典子・満田和久（JAXA） (3) 10:50 - 11:15 可視光用超伝導転移端センサアレイの読出しに向けたマイクロ波SQUIDマルチプレクサの評価 ○中田直樹（東大/産総研）・服部香里（産総研）・中島裕貴（産総研/JAXA）・平山文紀・山本 亮・山森弘毅・神代 暁・佐藤 昭（産総研）・高橋浩之（東大）・福田大治（産総研） (4) 11:15 - 11:40 微小Josephson接合列の輻射検出器としての利用性の評価 ○鈴木俊貴・カニョロ ゴドゥウィリ ビティ・西垣宏志・水柿義直・島田 宏（電通大） (5) 11:40 - 12:05 Spiral-MKIDsにおける雑音等価電力のNbN膜厚依存性 ○齊藤 敦・岡 大輝・加藤圭起・倉科大輔・鈴木快飛・仲田優介・中島健介（山形大） −−− 休憩 （ 60分 ） −−− 8月9日(金) 午後 （13：05～17：05） (6) 13:05 - 13:30 Nb3Ge超伝導薄膜の作製と評価 ○川上 彰・寺井弘高（NICT）・鵜澤佳徳（国立天文台） (7) 13:30 - 13:55 固有ジョセフソン接合テラヘルツ波発振素子の放射パターン測定系の構築 ○江口哲平・立木 隆・内田貴司（防衛大） (8) 13:55 - 14:20 ランダムアクセスメモリにおける超伝導ナノ構造ラインドライバの検討 ○佐野京佑・近藤真生・田中雅光（名大）・山下太郎（名大/JSTさきがけ）・井上真澄（名城大）・藤巻 朗（名大） (9) 14:20 - 14:45 二重SQUIDを採用したRSFQ分布型出力アンプの設計と動作実証 樋口孔明・島田 宏・○水柿義直（電通大） (10) 14:45 - 15:10 高Jcプロセスを用いたSFQ論理によるディジタルSQUID磁束計の性能評価 ○板垣航希・松縄 諒・大嶋一太・長谷川雄一・成瀬雅人・田井野 徹・明連広昭（埼玉大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (11) 15:25 - 15:50 単一磁束量子回路を用いた8-point 7-bit FFTプロセッサの動作実証 ○柯 飛・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） (12) 15:50 - 16:15 量子ビット操作用振幅可変SFQマイクロ波スイッチの検討 ○道林詩織・竹内尚輝・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） (13) 16:15 - 16:40 断熱量子磁束パラメトロン回路を用いた5入力Majorityゲートの研究 ○山﨑祐一・山栄大樹・竹内尚輝・吉川信行（横浜国大） (14) 16:40 - 17:05 ゲート間配線を考慮した断熱型量子磁束パラメトロン回路のビット誤り率の評価 ○伊東大樹・竹内尚輝・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆SCE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 10月9日(水)～10日(木) 東北大学・電気通信研究所 [8月15日(木)] テーマ：検出基盤技術及び応用、一般 【問合先】 竹内 尚輝（横浜国大） TEL: 045-339-4467 E-mail:   u - o -kx y  Last modified: 2019-06-20 13:12:33 |
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