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★マイクロ波研究会（MW） 専門委員長 高山 洋一郎 副委員長 荒木 純道 幹事 尾崎 寿一， 豊田 一彦 幹事補佐 河合 正， 和田 光司 ★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 榎木 孝知 副委員長 和保 孝夫 幹事 中島 成， 田中 毅 幹事補佐 江川 孝志 日時 2005年 1月17日(月) 10：20～17：00 2005年 1月18日(火) 09：20～17：05 会場 機械振興会館 議題 超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 1月17日(月) 午前 （10：20～17：00） (1) 10:20 - 10:45 GaAs 1チップ逆直列バラクタ対の3次混変調歪の測定と寄生インピーダンスの抽出 ○薮崎宗久（東京理科大）・韓 青・大平 孝（ATR）・赤池正 巳・志村 敦（東京理科大） (2) 10:45 - 11:10 重畳パルス方式を用いたハーモニックミクサ形高速パルス変調回路 ○川上憲司・濱野 聡・津留正臣・小野政好（三菱電機）・西口光浩（三菱スペース・ソフトウエア）・宮崎守泰（三菱電機） (3) 11:10 - 11:35 ポリマー分散液晶の層厚変化に対する応答時間特性 ○齊藤勝彦・亀井利久・森 武洋・内海要三（防衛大） (4) 11:35 - 12:00 損失性チップによるマイクロストリップスタブからの放射の抑止 ○大隅康弘・森田長吉（千葉工大） −−− 昼食 （ 100分 ） −−− (5) 13:40 - 14:05 厚みのあるミリ波誘電体イメージ線路アンテナの動作について ○田中 聡（福山大） (6) 14:05 - 14:30 60MHz帯疎結合マイクロストリップ方向性結合器 ○平島隆洋・藤井亮一（中国職能開発大）・藤井修逸（アドテックプラズマテクノロジー）・田中 聡（福山大） (7) 14:30 - 14:55 LCPを用いた低損失溝付きGSG線路 ○湯浅 健・西野 有・大橋英征・犬塚隆之・村上 治・椋田宗明（三菱電機） (8) 14:55 - 15:20 周波数選択板装荷導波管フィルタの設計及び実験的検討 ○大平昌敬・出口博之・辻 幹男・繁沢 宏（同志社大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (9) 15:30 - 17:00 ［特別講演］第３４回欧州マイクロ波会議出席報告 ○関 智弘（NTT）・増田 哲（富士通研）・西野 有（三菱電機）・真田篤志（山口大）・平田明史（ATR）・河合邦浩（NTTドコモ）・木村巧一（電通大） 1月18日(火) 午前 （09：20～17：05） (10) 09:20 - 09:45 ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原 学・中澤一志・上野弘明・廣瀬 裕・上田哲三・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大） (11) 09:45 - 10:10 選択再成長オーミックス構造を有するAl2O3/Si3N4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET ○前田就彦・王 成新・牧村隆司・廣木正伸・牧本俊樹・小林 隆・榎木孝知（NTT） (12) 10:10 - 10:35 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET ○村田智洋・引田正洋・廣瀬 裕・井上 薫・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (13) 10:45 - 11:10 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討 ○伊藤正紀・海部勝晶・見田充郎・大来英之・戸田典彦・佐野芳明・関 昇平（OKI）・石川博康・江川孝志（名工大） (14) 11:10 - 11:35 Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT ○國井徹郎・戸塚正裕・加茂宣卓・山本佳嗣・竹内日出雄・島田好治・志賀俊彦・巳浪裕之・北野俊明・宮国晋一・中塚茂典・井上 晃・奥 友希・南條拓真・大石敏之（三菱電機） (15) 11:35 - 12:00 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT ○三好実人（名工大/日本ガイシ）・今西 敦・石川博康・江川孝志（名工大）・浅井圭一郎・柴田智彦・田中光浩・小田 修（日本ガイシ） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (16) 13:00 - 13:25 AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい ○橋詰 保・金子昌充（北大） (17) 13:25 - 13:50 5W出力1.9GHｚ動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ ○広瀬真由美・高田賢治・蔵口雅彦・佐々木忠寛・鈴木 隆・津田邦男（東芝） (18) 13:50 - 14:15 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT ○金村雅仁・吉川俊英・常信和清（富士通研） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (19) 14:25 - 14:50 ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価 ○荻窪光慈・大島知之・角谷昌紀・市岡俊彦（OKI） (20) 14:50 - 15:15 C帯，高利得5.5GHz， 26V動作 25W GaAs FET ○前川 新・山本高史・井上和孝・五十嵐 勉・佐野征吾・高瀬信太郎（ユーディナデバイス） (21) 15:15 - 15:40 高速アクセス用10Gbit/s CMOSバーストモードクロックデータ再生IC ○木村俊二・野河正史・西村和好・吉田智暁・雲崎清美・西原 晋・大友祐輔（NTT） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (22) 15:50 - 16:15 広帯域整合技術を用いた90GHzInP-HEMT抵抗整合型増幅器 ○井上雄介・佐藤 優・多木俊裕・牧山剛三・高橋 剛・重松寿生・廣瀬達哉（富士通研） (23) 16:15 - 16:40 衛星搭載用C帯80WGaAs-FET増幅器 ○分島彰男（NEC）・浅野貴弘・平野孝文・舟橋政弘（NEC東芝スペースシステム）・松永高治（NEC） (24) 16:40 - 17:05 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器 ○山本和也・鈴木 敏・小川喜之・長明健一郎・紫村輝之・前村公正（三菱電機） ◆IEEE MTT-S Japan Chapter 共催 ◎なお，最新のプログラムは MW 研究会ホームページhttp://www.ieice.org/es/mw/jpn/ をご覧下さい． ◎平成17年1月のMW研究会発表申込より、電子情報通信学会の研究会発表申込システムを御利用頂くことになりました．投稿のページ[http://www.ieice.org/jpn/ken/kenmoushikomi.html]の[研究会発表申込(Webによる)]からお申込み下さいますようお願いいたします． ☆MW研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月 休会 3月2日(水)～4日(金) ＹＲＰ [12月10日(金)] テーマ：移動通信ワークショップ 【問合先】 和田光司 (電通大) TEL:0424-43-5212,FAX:0424-43-5212 E-mail:    ee  c ☆ED研究会 【問合先】 中島 成（ユーディナ デバイス） TEL: 045-853-8161, FAX: 045-853-8170 E-mail: sh     eudy 田中 毅（松下電器） TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110 E-mail:  erl ci 江川 孝志（名工大） TEL: 052-735-5544、FAX: 052-735-5546 E-mail: e  elcom  Last modified: 2004-11-25 02:05:04 |
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