1月17日(月) 午前
10:20 - 17:00 |
| (1) |
10:20-10:45 |
GaAs 1チップ逆直列バラクタ対の3次混変調歪の測定と寄生インピーダンスの抽出 |
○薮崎宗久（東京理科大）・韓 青・大平 孝（ATR）・赤池正 巳・志村 敦（東京理科大） |
| (2) |
10:45-11:10 |
重畳パルス方式を用いたハーモニックミクサ形高速パルス変調回路 |
○川上憲司・濱野 聡・津留正臣・小野政好（三菱電機）・西口光浩（三菱スペース・ソフトウエア）・宮崎守泰（三菱電機） |
| (3) |
11:10-11:35 |
ポリマー分散液晶の層厚変化に対する応答時間特性 |
○齊藤勝彦・亀井利久・森 武洋・内海要三（防衛大） |
| (4) |
11:35-12:00 |
損失性チップによるマイクロストリップスタブからの放射の抑止 |
○大隅康弘・森田長吉（千葉工大） |
| |
12:00-13:40 |
昼食 （ 100分 ） |
| (5) |
13:40-14:05 |
厚みのあるミリ波誘電体イメージ線路アンテナの動作について |
○田中 聡（福山大） |
| (6) |
14:05-14:30 |
60MHz帯疎結合マイクロストリップ方向性結合器 |
○平島隆洋・藤井亮一（中国職能開発大）・藤井修逸（アドテックプラズマテクノロジー）・田中 聡（福山大） |
| (7) |
14:30-14:55 |
LCPを用いた低損失溝付きGSG線路 |
○湯浅 健・西野 有・大橋英征・犬塚隆之・村上 治・椋田宗明（三菱電機） |
| (8) |
14:55-15:20 |
周波数選択板装荷導波管フィルタの設計及び実験的検討 |
○大平昌敬・出口博之・辻 幹男・繁沢 宏（同志社大） |
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15:20-15:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (9) |
15:30-17:00 |
［特別講演］第３４回欧州マイクロ波会議出席報告 |
○関 智弘（NTT）・増田 哲（富士通研）・西野 有（三菱電機）・真田篤志（山口大）・平田明史（ATR）・河合邦浩（NTTドコモ）・木村巧一（電通大） |
1月18日(火) 午前
09:20 - 17:05 |
| (10) |
09:20-09:45 |
ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET |
○引田正洋・柳原 学・中澤一志・上野弘明・廣瀬 裕・上田哲三・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大） |
| (11) |
09:45-10:10 |
選択再成長オーミックス構造を有するAl2O3/Si3N4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET |
○前田就彦・王 成新・牧村隆司・廣木正伸・牧本俊樹・小林 隆・榎木孝知（NTT） |
| (12) |
10:10-10:35 |
超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET |
○村田智洋・引田正洋・廣瀬 裕・井上 薫・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器） |
| |
10:35-10:45 |
休憩 （ 10分 ） |
| (13) |
10:45-11:10 |
高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討 |
○伊藤正紀・海部勝晶・見田充郎・大来英之・戸田典彦・佐野芳明・関 昇平（OKI）・石川博康・江川孝志（名工大） |
| (14) |
11:10-11:35 |
Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT |
○國井徹郎・戸塚正裕・加茂宣卓・山本佳嗣・竹内日出雄・島田好治・志賀俊彦・巳浪裕之・北野俊明・宮国晋一・中塚茂典・井上 晃・奥 友希・南條拓真・大石敏之（三菱電機） |
| (15) |
11:35-12:00 |
100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT |
○三好実人（名工大/日本ガイシ）・今西 敦・石川博康・江川孝志（名工大）・浅井圭一郎・柴田智彦・田中光浩・小田 修（日本ガイシ） |
| |
12:00-13:00 |
昼食 （ 60分 ） |
| (16) |
13:00-13:25 |
AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい |
○橋詰 保・金子昌充（北大） |
| (17) |
13:25-13:50 |
5W出力1.9GHｚ動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ |
○広瀬真由美・高田賢治・蔵口雅彦・佐々木忠寛・鈴木 隆・津田邦男（東芝） |
| (18) |
13:50-14:15 |
導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT |
○金村雅仁・吉川俊英・常信和清（富士通研） |
| |
14:15-14:25 |
休憩 （ 10分 ） |
| (19) |
14:25-14:50 |
ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価 |
○荻窪光慈・大島知之・角谷昌紀・市岡俊彦（OKI） |
| (20) |
14:50-15:15 |
C帯，高利得5.5GHz， 26V動作 25W GaAs FET |
○前川 新・山本高史・井上和孝・五十嵐 勉・佐野征吾・高瀬信太郎（ユーディナデバイス） |
| (21) |
15:15-15:40 |
高速アクセス用10Gbit/s CMOSバーストモードクロックデータ再生IC |
○木村俊二・野河正史・西村和好・吉田智暁・雲崎清美・西原 晋・大友祐輔（NTT） |
| |
15:40-15:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (22) |
15:50-16:15 |
広帯域整合技術を用いた90GHzInP-HEMT抵抗整合型増幅器 |
○井上雄介・佐藤 優・多木俊裕・牧山剛三・高橋 剛・重松寿生・廣瀬達哉（富士通研） |
| (23) |
16:15-16:40 |
衛星搭載用C帯80WGaAs-FET増幅器 |
○分島彰男（NEC）・浅野貴弘・平野孝文・舟橋政弘（NEC東芝スペースシステム）・松永高治（NEC） |
| (24) |
16:40-17:05 |
5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器 |
○山本和也・鈴木 敏・小川喜之・長明健一郎・紫村輝之・前村公正（三菱電機） |
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