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★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)  副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

日時 2020年10月22日(木) 10:00~16:20

会場 オンライン開催

議題 プロセス科学と新プロセス技術

10月22日(木) 午前 (10:00~16:20)

(1) 10:00 - 10:50
[記念講演]プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス
○熊倉 翔(東京エレクトロン宮城)

(2) 10:50 - 11:20
3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発
○齊藤宏河・吉田彩乃・黒田理人(東北大)・柴田 寛・柴口 拓・栗山尚也(ラピスセミコンダクタ宮城)・須川成利(東北大)

−−− 昼休憩 ( 100分 ) −−−

(3) 13:00 - 13:30
Investigation of N-doped LaB6/LaBxNy/Si(100) MIS structure and floating-gate memory applications
○Kyung Eun Park・Hideki Kamata・Shun-ichiro Ohmi(Tokyo Tech)

(4) 13:30 - 14:00
A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET
○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Shun-ichiro Ohmi(Tokyo Tech)

(5) 14:00 - 14:30
Investigation on millisecond solid phase crystallization of amorphous silicon films induced by micro thermal plasma jet.
○Hoa Thi Khanh Nguyen・Hiroaki Hanafusa・Yuri Mizukawa(Hiroshima Univ.)・Shohei Hayashi(Toray Res. Cent.)・Seiichiro Higashi(Hiroshima Univ.)

−−− 休憩 ( 20分 ) −−−

(6) 14:50 - 15:20
IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質
○間脇武蔵(東北大)・寺本章伸(広島大)・石井勝利(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信・諏訪智之(東北大)・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人・白井泰雪・須川成利(東北大)

(7) 15:20 - 15:50
強誘電体薄膜BiFeO3の格子整合とX線構造分析
○今泉文伸・仲田陸人(小山高専)

(8) 15:50 - 16:20
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析
○秋元 瞭・黒田理人(東北大)・寺本章伸(広島大)・間脇武蔵・市野真也・諏訪智之・須川成利(東北大)

一般講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分
記念講演:発表 40 分 + 質疑応答 10 分


☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

11月19日(木)~20日(金) オンライン開催 [9月21日(月)] テーマ:プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般
12月2日(水) オンライン開催 [9月23日(水)] テーマ:シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会
2021年1月28日(木) オンライン開催 [未定] テーマ:先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集)

【問合先】
SDM幹事:森 貴洋(産業技術総合研究所)
電話 029-849-1149
E-Mail -aist


Last modified: 2020-11-06 16:09:28


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