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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 大野 裕三 (筑波大) 副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事 黒田 理人 (東北大) 幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 日時 2016年 1月22日(金) 10：00～17：15 会場 東京大学 山上会館 議題 配線・実装技術と関連材料技術 1月22日(金) 午前 （10：00～17：15） −−− 開会の挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 10:05 - 10:40 ［招待講演］400万個のマイクロバンプ接続を有する1600画素3次元積層型イメージセンサの信頼性試験結果 ○竹本良章・高澤直裕・月村光弘・齊藤晴久・近藤 亨・加藤秀樹・青木 潤・小林賢司・鈴木俊介・五味祐一・松田成介・只木芳隆（オリンパス） (2) 10:40 - 11:15 ［招待講演］常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考 ○松山英也（ソシオネクスト）・鈴木貴志・中村友二（富士通研）・塩津基樹・江原英郎（三重富士通セミコンダクター） (3) 11:15 - 11:35 Copper Thin Film Growth using Cu(I) Amidinate Precursor in Supercritical Carbon Dioxide ○Md Rasadujjaman・Mitsuhiro Watanabe（Univ. Yamanashi）・Hiroshi Sudoh・Hideaki Machida（Gas phase growth）・Eiichi Kondoh（Univ. Yamanashi） (4) 11:35 - 11:55 BTA-H2O2溶液中におけるCu表面のその場エリプソメトリ ○川上達也・近藤英一・渡邉満洋（山梨大）・濱田聡美・嶋 昇平・檜山浩國（荏原製作所） −−− 昼食，休憩 （ 65分 ） −−− (5) 13:00 - 13:35 ［招待講演］低温作製された窒化物薄膜の特性 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） (6) 13:35 - 13:55 ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価 ○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚（北見工大） (7) 13:55 - 14:15 Fabrication of highly reliable Co(W) thin film by physical vapor deposition for next generation ULSI Cu interconnects ○Taewoong Kim・Kouta Tomita・Takeshi Momose（Univ. of Tokyo）・Takaaki Tsunoda・Takayuki Moriwaki（CANON ANELVA）・Yukihiro Shimogaki（Univ. of Tokyo） (8) 14:15 - 14:35 Fabrication of Multilayer Graphene by Solid-Phase Precipitation with Current Stress ○MD Sahab Uddin・Hiroyasu Ichikawa・Shota Sano（SIT）・Kazuyoshi Ueno（SIT/RCGI） (9) 14:35 - 15:10 ［招待講演］バンプレスインターコネクトを用いた三次元積層デバイス向けのウエハ薄化評価結果 ○金 永ソク・児玉祥一・水島賢子・中村友二・前田展秀・藤本興治（東工大）・川合章仁（ディスコ）・大場隆之（東工大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (10) 15:25 - 16:00 ［招待講演］Novel reconfigured wafer-to-wafer(W2W) hybrid bonding technology using ultra-high density nano-Cu filaments for exascale 2.5D/3D integration ○Kangwook Lee・Taksfumi Fukushima・Tetsu Tanaka・Mitsumasa Koyanagi（Tohoku Univ.） (11) 16:00 - 16:35 ［招待講演］2.5D/3D TSV用実装材料技術 ○満倉一行・牧野竜也・畠山恵一（日立化成）・Kenneth June Rebibis・Andy Miller・Eric Beyne（IMEC） (12) 16:35 - 17:10 ［招待講演］印刷によるTSV形成技術の開発 ～ ナノ・ファンクション材料技術の展開 ～ ○池田博明・関根重信・木村竜司・下川耕一・岡田圭二・進藤広明・大井達也・玉木玲衣（ナプラ）・永田 真（神戸大） −−− 閉会の挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 10 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 1月28日(木) 機械振興会館 [未定] テーマ：先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 3月3日(木)～4日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月18日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 4月8日(金)～9日(土) 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [2月12日(金)] テーマ：薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2015-12-25 17:09:44 |
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