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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
専門委員長 津田 裕之 (慶大)  副委員長 松尾 慎治 (NTT)
幹事 篠田 和典 (日立), 田中 有 (富士通研)

日時 2012年12月13日(木) 09:30~17:00

会場 機械振興会館 地下3階研修2号室(〒105-0011 東京都港区芝公園3丁目5番8号.http://www.jspmi.or.jp/)

議題 半導体レーザ関連技術,及び一般

12月13日(木) 午前 (09:30~17:00)

−−− 委員長挨拶(開会) ( 5分 ) −−−

(1) 09:35 - 10:00
高速MBE成長法による19層積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの利得評価
○田之上文彦(首都大東京/NICT)・菅原宏治(首都大東京)・赤羽浩一・山本直克(NICT)

(2) 10:00 - 10:25
ポリマー光回路を用いた面出射光源の研究
○天野 建・佐々木史雄・浮田茂也・鈴木基史・青柳昌宏・小森和弘(産総研)

(3) 10:25 - 10:50
GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化
○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久(東工大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(4) 11:00 - 11:25
AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調
○下山峰史・松田 学・奥村滋一・植竹理人・江川 満・山本剛之(富士通研)

(5) 11:25 - 11:50
1550nm/1310nm 2波長発振高出力LD
○森本慎太郎・森 浩・山田敦史・長島靖明・藤田幹明・大貫紳一・吉田谷弘明・三瀬一明(アンリツデバイス)

(6) 11:50 - 12:15
選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザー
○檜垣将広・沼居貴陽(立命館大)

−−− 昼食 ( 60分 ) −−−

−−− LQE奨励賞表彰式 ( 10分 ) −−−

(7) 13:25 - 13:50
[奨励講演]フォトニック結晶レーザによる特異な集光特性を有するビームの発生
○北村恭子・西本昌哉・酒井恭輔・野田 進(京大)

(8) 13:50 - 14:15
[奨励講演]ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展
○田辺克明・荒川泰彦(東大)

(9) 14:15 - 14:40
窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用
○林 侑介・長部 亮・福田渓太・カン ジュンヒョン・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久(東工大)

(10) 14:40 - 15:05
フォトニック結晶面発光レーザにおける非発振バンドを介した散乱現象
○廣瀬和義・黒坂剛孝・渡邉明佳・杉山貴浩(浜松ホトニクス)・梁 永・野田 進(京大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(11) 15:15 - 15:40
2次元光閉じ込め構造を用いた中空導波路DBRレーザのアサーマル特性と狭線幅特性の検討
○山川英明・阿久津友宏・坂口孝浩・小山二三夫(東工大)

(12) 15:40 - 16:05
単一ストライプ構造を有する集積型波長可変レーザの注入同期特性
アルボレス メヒア アーロン・○鍬塚治彦(産総研)・金子俊光・上坂勝己・小路 元(住友電工)・石川 浩(産総研)

(13) 16:05 - 16:30
1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源
○岩井則広・若葉昌布・小早川将子・清田和明・黒部立郎・小林 剛・木本竜也・向原智一・横内則之・粕川秋彦(古河電工)

(14) 16:30 - 16:55
LGLC型波長可変レーザを用いたTunable TOSAにおけるフルC-band 10.7Gbps-80kmファイバ伝送
○直江和彦・中村 厚・笹田紀子・中西 慧・佐久間 康・元田勝也・山下 武・矢萩智彦(日本オクラロ)・鈴木崇功・有本英生・田中滋久(日立)

−−− 閉会挨拶 ( 5分 ) −−−

一般講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分


☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

2013年1月24日(木)~25日(金) 大阪大学吹田キャンパス [11月14日(水)] テーマ:フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般

【問合先】
篠田 和典 (日立製作所)
TEL: 042-323-1111
E-mail: nv

田中 有 (富士通研)
TEL: 046-250-8251
E-mail: _

◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2012-10-22 15:53:17


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