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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 前澤 宏一 (富山大) 副委員長 津田 邦男 (東芝) 幹事 松永 高治 (NEC)， 鈴木 寿一 (北陸先端大) 幹事補佐 新井 学 (新日本無線)， 東脇 正高 (NICT) 日時 2015年12月21日(月) 13：00～18：10 2015年12月22日(火) 09：00～15：40 会場 東北大学電気通信研究所片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟（〒980-8577 宮城県仙台市青葉区片平2-1-1．JR仙台駅徒歩約20分．http://www.riec.tohoku.ac.jp/access/．東北大学電気通信研究所 尾辻泰一 教授） 議題 ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 12月21日(月) 午後 （13：00～18：10） −−− 開会の挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 13:05 - 13:45 ［招待講演］小面積D帯CMOS差動増幅器の設計 ○原 紳介（NICT）・片山光亮・高野恭弥（広島大）・渡邊一世・関根徳彦・笠松章史（NICT）・吉田 毅・天川修平・藤島 実（広島大） (2) 13:45 - 14:10 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） (3) 14:10 - 14:35 GaAsSbバックワードダイオードの非平衡量子輸送モデルによる理論解析 ○藤田尚成・小野孝介・須原理彦（首都大東京）・高橋 剛（富士通研） (4) 14:35 - 15:00 InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・牧山剛三・中舍安宏・原 直紀（富士通研） (5) 15:00 - 15:25 グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出 ○玉虫 元・菅原健太・佐藤 昭・田島圭一郎・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (6) 15:40 - 16:05 GaN系未開拓波長QCLの進展 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） (7) 16:05 - 16:30 The improvement of output power characteristics of THz QCLs in 77 K Dewar condenser ○Tsung-Tse Lin・Wataru Terashima・Hideki Hirayama（RIKEN） (8) 16:30 - 16:55 高抵抗化による高効率THz波発生を目指した不純物添加GaSe結晶の液相成長 ○鈴木康平・佐藤陽平・前田健作・小山 裕（東北大） (9) 16:55 - 17:20 光注入型THzパラメトリック発生器の周波数可変上限の拡大 ○村手宏輔・今山和樹（名大）・林 伸一郎（理研/名大）・川瀬晃道（名大/理研） (10) 17:20 - 17:45 高出力周波数可変サブテラヘルツ波発生のための非線形波長変換技術 ○時実 悠・縄田耕二・韓 正利・小山美緒・野竹孝志・瀧田佑馬・南出泰亜（理研） (11) 17:45 - 18:10 非線形波長変換を利用した高輝度サブテラヘルツ光の発生 ○林 伸一郎（理研/名大）・縄田耕二・瀧田佑馬（理研）・川瀬晃道（名大/理研）・南出泰亜（理研） −−− 懇親会 （ 90分 ） −−− 12月22日(火) 午前 （09：00～12：00） (12) 09:00 - 09:40 ［招待講演］境界・遷移領域としてのテラヘルツ ～ テラヘルツ技術の更なる発展のために ～ ○水野皓司（東北大） (13) 09:40 - 10:05 超高速超広帯域 光励起テラヘルツプローブ分光法によるグラフェン光伝導機構の解明 ○池田 翔（東北大）・山下将嗣・大谷知行（理研） (14) 10:05 - 10:30 Terahertz Emission and Detection from Double Graphene Layer Heterostructures ○Deepika Yadav・Stephane Boubanga Tombet・Stevanus Arnold・Takayuki Watanabe（RIEC Tohoku Univ.）・Victor Ryzhii（Inst. of Ultra High Freq. Semicond. Elect. Russia）・Taiichi Otsuji（RIEC Tohoku Univ.） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (15) 10:45 - 11:10 光照射カーボンナノチューブフォレストのテラヘルツ応答 ○宮島卓也・板津太郎（北大）・杉目恒志（ケンブリッジ大）・ステファヌス アルノード・尾辻泰一（東北大）・佐野栄一（北大） (16) 11:10 - 11:35 高密度テラヘルツ波励起メタマテリアルによる微量液体の測定 ○松田栄輝・芹田和則・岡田航介・村上博成・川山 巌・斗内政吉（阪大） (17) 11:35 - 12:00 レーザー誘起テラヘルツ波放射を用いたGaNの評価 ○酒井裕司・川山 巌（阪大）・中西英俊（SCREEN）・斗内政吉（阪大） −−− 昼食休憩 （ 60分 ） −−− 12月22日(火) 午後 （13：00～15：40） (18) 13:00 - 13:25 テラヘルツ分光イメージングによる非破壊・非接触検査技術の応用 ○木村 隆・中里祐輔・前田健作・小山 裕（東北大） (19) 13:25 - 13:50 時間領域分光法によるテラヘルツ波中空ファイバの伝搬モード解析 ○伊藤公聖・片桐崇史・松浦祐司（東北大） (20) 13:50 - 14:30 ［招待講演］ミリ波帯およびテラヘルツ帯トランシーバにおけるCMOS回路応用 ○水野紘一・阿部敬之・佐藤潤二・滝波浩二・高橋和晃（パナソニック） (21) 14:30 - 15:10 ［招待講演］0.1/0.3THz帯電力モジュールの開発 ○増田則夫・吉田 満・藤下祐亮・小林潤一（NECネットワーク・センサ）・関根徳彦・菅野敦史（NICT） (22) 15:10 - 15:35 近距離テラヘルツ無線通信における軸ずれの検討 ～ 光無線との比較 ～ ○犬伏祐樹・扇本一輝（阪大）・桑野 茂・寺田 純（NTT）・永妻忠夫（阪大） −−− 閉会の挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆電子情報通信学会テラヘルツ応用システム研究会協賛 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2016年1月20日(水) 機械振興会館 [11月17日(火)] テーマ：パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 2016年3月3日(木)～4日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月18日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 【問合先】 松永 高治（日本電気) TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253 E-mail： k-      fp   c 鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学） TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455 E-mail :  si  jaist Last modified: 2015-10-20 15:05:41 |
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