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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

日時 2014年 2月28日(金) 09:25 - 16:25
議題 配線・実装技術と関連材料技術 
会場名 機械振興会館 
他の共催 ◆応用物理学会共催

2月28日(金) 午前 
09:25 - 16:25
  09:25-09:30 開会の挨拶 ( 5分 )
(1) 09:30-10:10 [招待講演]大口径中性粒子ビームCVDを用いたノンポーラスULK-SiOCH膜 ○菊地良幸(東京エレクトロン/東北大)・寒川誠二(東北大)
(2) 10:10-10:40 [招待講演]先端Low-k配線技術における課題と指針 ○井上尚也(ルネサス エレクトロニクス)
  10:40-11:00 休憩 ( 20分 )
(3) 11:00-11:30 [招待講演]三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価 ○水島賢子(富士通研/東工大)・金 永ソク(東工大/ディスコ)・中村友二(富士通研)・杉江隆一・橋本秀樹(東レリサーチセンター)・上殿明良(筑波大)・大場隆之(東工大)
(4) 11:30-12:00 [招待講演]TSVの高速形成に向けた有機系導電インクの注入手法 ○川喜多 仁(物質・材料研究機構)
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
(5) 13:00-13:50 [基調講演]集積回路のこれから ~ 社会の動きを考えてみる ~ ○益 一哉(東工大)
(6) 13:50-14:20 [招待講演]インプラント法によるカーボンナノチューブプラグの作製とスパッタアニール法による多層グラフェン配線の接合 ○佐藤元伸・高橋 慎・二瓶瑞久・佐藤信太郎・横山直樹(産総研)
  14:20-14:40 休憩 ( 20分 )
(7) 14:40-15:20 [招待講演]導電性下地上でのカーボンナノチューブの低温・稠密成長 ○野田 優(早大)・羅 ヌリ(早大/東大)・白井 聖・野村桂甫(東大)・長谷川 馨(早大)
(8) 15:20-15:50 [招待講演]気相堆積重合ポリイミドを用いたTSVライナー形成 ○福島誉史・マリアッパン ムルゲサン・べ 志哲・李 康旭・小柳光正(東北大)
(9) 15:50-16:20 [招待講演]15μm-pitch Bump Interconnections Relied on Flip-chip Bonding Technique
-- for Advanced Chip Stacking Applications --
○Masahiro Aoyagi・Thanh-Tung Bui・Fumiki Kato・Naoya Watanabe・Shunsuke Nemoto・Katsuya Kikuchi(AIST)
  16:20-16:25 閉会の挨拶 ( 5分 )

講演時間
基調講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分
招待講演発表 30 分 + 質疑応答 10 分
招待講演発表 20 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E--mail: o 


Last modified: 2013-12-16 08:25:13


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