2月7日(月) 午前
10:00 - 17:00 |
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10:00-10:05 |
開会の挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:50 |
［基調講演］3次元実装技術とCPI(Chip Package Interaction)の課題 |
○折井靖光・鳥山和重・堀部晃啓・松本圭司・佐久間克幸（日本IBM） |
| (2) |
10:50-11:20 |
ロバストLow-k(k～2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証 |
○井上尚也・植木 誠・山本博規・久米一平・川原 潤・井口 学・本田広一・堀越賢剛・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） |
| (3) |
11:20-11:50 |
コンプライアントバンプ技術のイメージセンサーへの応用 |
○渡辺直也・浅野種正（九大） |
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11:50-12:40 |
昼食，休憩 （ 50分 ） |
| (4) |
12:40-13:10 |
CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響 |
○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・渡邉 桂・加藤 賢・坂田敦子・梶田明広・柴田英毅（東芝） |
| (5) |
13:10-13:40 |
光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存 |
○小川修一（東北大/JST）・佐藤元伸（富士通/JST）・角 治樹（東北大）・二瓶瑞久（富士通/JST）・高桑雄二（東北大/JST） |
| (6) |
13:40-14:10 |
Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 |
○小濱和之・伊藤和博・薗林 豊（京大）・大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大） |
| (7) |
14:10-14:40 |
光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線 |
○佐藤元伸（富士通/JST/産総研）・小川修一（東北大/JST）・池永英司（高輝度光科学研究センター/JST）・高桑雄二（東北大/JST）・二瓶瑞久（富士通/JST/産総研）・横山直樹（産総研） |
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14:40-14:55 |
休憩 （ 15分 ） |
| (8) |
14:55-15:25 |
Cu - TSV/ Cu -Snマイクロバンプを有する薄ウェハのストレス評価 |
○Murugesan Mariappan・福島誉史・田中 徹・小柳光正（東北大） |
| (9) |
15:25-15:55 |
3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス |
○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） |
| (10) |
15:55-16:25 |
新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5) |
○宇佐美達矢・小林千香子・三浦幸男（ルネサス エレクトロニクス）・永野修次（大陽日酸）・大音光市（ルネサス エレクトロニクス）・清水秀治（大陽日酸）・加田武史・大平達也（トリケミカル研）・藤井邦宏（ルネサス エレクトロニクス） |
| (11) |
16:25-16:55 |
メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術 |
○松本 晋・原田剛史・森永泰規・稲垣大介・柴田潤一・田代健二・可部達也・岩崎晃久・平尾秀司・筒江 誠・野村晃太郎・瀬尾光平・樋野村 徹・虎澤直樹・鈴木 繁（パナソニック） |
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16:55-17:00 |
閉会の挨拶 （ 5分 ） |
: Hisahiro.Ansai＠jp.sony.com