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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 堀口 文男 副委員長 浅野 種正 幹事 大野 守史， 高柳 万里子 幹事補佐 松井 裕一 ★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 和保 孝夫 副委員長 葛原 正明 幹事 田中 毅， 新井 学 幹事補佐 高谷 信一郎 日時 2006年 1月26日(木) 13：30～17：00 2006年 1月27日(金) 09：00～12：10 会場 北海道大学 百年記念会館 大会議室（〒060-0809 札幌市北区北9条西6丁目．JR札幌駅より徒歩5分．http://www.hokudai.ac.jp/bureau/keiri/sisetu/map.htm．011-706-3211） 議題 量子効果デバイス及び関連技術 1月26日(木) 午後 多重量子ドットと機能性 （13：30～15：10） (1) 13:30 - 13:55 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス ○石川靖彦・山本智寛・田部道晴（静岡大） (2) 13:55 - 14:20 多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動 ○大倉健作（広島大）・北出哲也（ローム）・中島安理（広島大） (3) 14:20 - 14:45 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション ○開澤拓弥・有田正志・高橋庸夫（北大） (4) 14:45 - 15:10 高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作 ○大倉健作（広島大）・北出哲也（ローム）・中島安理（広島大） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− 1月26日(木) 午後 単電子／単光子検出とマニピュレーション （15：30～17：00） (5) 15:30 - 16:10 ［招待講演］MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 ～ SOIを用いた素子作製と特性評価 ～ ○西口克彦・小野行徳・藤原 聡・猪川 洋（NTT）・高橋庸夫（北大） (6) 16:10 - 16:35 カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs-AlGaAs2次元電子ガスのハイブリッド化 ○石橋幸治（理研/JST）・塚本竹雄（理研/東工大）・森山悟士（理研）・内田剛生（理研/東工大）・山口智弘（理研） (7) 16:35 - 17:00 Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル ○ラトノ ヌルヤディ・石川靖彦・田部道晴（静岡大） 1月27日(金) 午前 光・電子ナノデバイス （09：00～10：15） (8) 09:00 - 09:25 Si微小電子源とスミス・パーセル放射光応用 ～ 微小電子源を用いた新光源の提案 ～ ○根尾陽一郎（静岡大）・嶋脇秀隆（八戸工大）・三村秀典（静岡大） (9) 09:25 - 09:50 Si基板上(CdF2/CaF2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性 ○自念圭輔・菊池 毅・内田 薫・小平新志（東工大）・渡辺正裕（東工大/JST）・浅田雅洋（東工大） (10) 09:50 - 10:15 ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード ○金澤 徹・諸澤篤史・藤井 諒・和田宇史（東工大）・渡辺正裕（東工大/JST）・浅田雅洋（東工大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 1月27日(金) 午前 量子ナノデバイスと回路応用 （10：30～12：10） (11) 10:30 - 10:55 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析 ○葛西誠也・湯元美樹・長谷川英機（北大） (12) 10:55 - 11:20 ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討 ○阿部裕二・中村達也・田村隆博・葛西誠也・橋詰 保・長谷川英機（北大） (13) 11:20 - 11:45 共鳴トンネル差動MOBILEの動作解析 ○中川伸平・江口慶亮・和保孝夫（上智大） (14) 11:45 - 12:10 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器 ○前澤宏一・松原 渉・古川幸喜・水谷 孝（名大） ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 4月17日(月)～18日(火) ウェル大濠(福岡市) [2月15日(水)] テーマ：薄膜(Si, 化合物, 有機)機能デバイス・材料・評価 【問合先】 西岡泰城（日本大学理工学部 精密機械工学科） TEL047-469-6482,FAX047-467-9504 E-mail:     e   t n-u ,a  cmsk  ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 3月2日(木)～3日(金) 東北大学 電気通信研究所 [12月21日(水)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 4月17日(月)～18日(火) ウェル大濠(福岡市) [2月15日(水)] テーマ：薄膜(Si, 化合物, 有機)機能デバイス・材料・評価 【問合先】 田中 毅（松下電器） TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110 E-mail:    erlci 新井 学（新日無） TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419 E-mail:   injr高谷 信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-mail:  crl  Last modified: 2005-11-24 19:30:03 |
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