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★電子デバイス研究会(ED)
専門委員長 橋詰 保 (北大)  副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 村田 浩一 (NTT), 原 直紀 (富士通研)
幹事補佐 津田 邦男 (東芝), 須原 理彦 (首都大東京)

日時 2009年 6月11日(木) 13:00~17:15
   2009年 6月12日(金) 09:30~12:15

会場 東京工業大学 大岡山キャンパス南3号館(東急目黒線・大井町線大岡山駅徒歩7分.http://www.titech.ac.jp/access-and-campusmap/j/o-okayamaO-j.html.東工大 理工学研究科 宮本恭幸.03-5734-2572)

議題 半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般

6月11日(木) 午後 (13:00~17:15)

(1) 13:00 - 13:25
高dose II剥離におけるSPMレス洗浄の検討
○佐藤俊哉・鈴木 保・塚原彰彦(富士通マイクロエレクトロニクス)・森平恭太(アクアサイエンス)

(2) 13:25 - 13:50
Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価
○伊藤篤史・原田 憲・河瀬康弘・水谷文一(三菱化学)・原 誠・青木秀充・木村千春・杉野 隆(阪大)

(3) 13:50 - 14:15
導波路管型高周波超音波洗浄機によるCMP後洗浄
○鈴木一成(カイジョー/芝浦工大)・潘 毅・岡野勝一・副島潤一郎(カイジョー)・小池義和(芝浦工大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

(4) 14:30 - 14:55
べベルブラシ洗浄プロセスの開発
○萩本賢哉・岩元勇人(ソニー)

(5) 14:55 - 15:20
メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性
増住拓朗・原 誠・○青木秀充・呂 志明・木村千 春・杉野 隆(阪大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

(6) 15:35 - 16:00
GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価
○中村成志・星野晃一・落合俊輔・須原理彦・奥村次徳(首都大東京)

(7) 16:00 - 16:25
原子層堆積により形成したAl2O3/AlGaN/GaNの界面評価
○水江千帆子・堀 祐臣(北大)・ミツェーク マルチン(Silesian Univ. of Tech.)・橋詰 保(北大)

(8) 16:25 - 16:50
Improvement in Device Performance in MIS AlGaN/GaN HFETs by Designing Insulator/AlGaN/GaN Structures
○Narihiko Maeda・Masanobu Hiroki・Takatomo Enoki(NTT)・Takashi Kobayashi(NTT AT)

(9) 16:50 - 17:15
AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討
○蔵口雅彦・湯元美樹・高田賢治・津田邦男(東芝)

6月12日(金) 午前 (09:30~12:15)

(10) 09:30 - 09:55
歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析
○西野啓之・川平一太・原 伸介・藤代博記(東京理科大)

(11) 09:55 - 10:20
InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性
○赤堀誠志(北陸先端大/ユーリッヒ研)・Thanh Quang Trinh・工藤昌宏(北陸先端大)・Thomas Schaepers・Hilde Hardtdegen(ユーリッヒ研)・鈴木寿一(北陸先端大)

(12) 10:20 - 10:45
SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング
○武部直明・山下浩明・高橋新之助・齋藤尚史・小林 嵩・宮本恭幸・古屋一仁(東工大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

(13) 11:00 - 11:25
熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性
○丸井俊治・星 真一・戸田典彦・森野芳昭・伊藤正紀・大来英之・玉井 功・関 昇平(OKI)

(14) 11:25 - 11:50
GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減
○山田敦史・牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治(富士通/富士通研)・原 直紀(富士通研)・吉川俊英(富士通/富士通研)

(15) 11:50 - 12:15
SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存
○松下景一・桜井博幸・沈 正七・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男(東芝)



☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

6月24日(水)~26日(金) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [4月10日(金)] テーマ:第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009)
7月30日(木)~31日(金) 大阪大学(銀杏会館) [5月23日(土)] テーマ:センサーデバイス,MEMS,一般

【問合先】
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871, FAX:046-270-2872
E-mail: aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242, FAX : 046-250-8168
E-mail : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142, FAX : 044-520-1501
E-mail : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765, FAX : 042-677-2756
t


Last modified: 2009-09-07 15:42:59


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