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★電子デバイス研究会(ED)
専門委員長 葛原 正明 (福井大)  副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 村田 浩一 (NTT)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)

日時 2009年 4月23日(木) 12:50~17:15
   2009年 4月24日(金) 09:00~14:40

会場 東北大学 電気通信研究所(〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1.JR仙台駅前西口バスプール11番・霊屋橋経由に乗車。片平丁小学校前の次、東北大正門前で下車。徒歩約7分。http://www.riec.tohoku.ac.jp/access/index-j.shtml.東北大学電気通信研究所 ナノ分子デバイス研究部 庭野 道夫.022-217-5501)

議題 TFT(有機、酸化物)、一般

4月23日(木) 午後 (12:50~17:15)

(1) 12:50 - 13:30
[招待講演]有機単結晶トランジスタ
○竹延大志(東北大/JST)

(2) 13:30 - 14:10
[招待講演]有機多結晶薄膜トランジスタにおけるキャリア輸送の制限要因
○中村雅一(千葉大)

(3) 14:10 - 14:35
ヘテロ積層型フラーレンFETの性能と大気下安定性
○中山健一・楠 貴博・夫 勇進・城戸淳二(山形大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

(4) 14:50 - 15:30
[特別講演]Doped organic semiconductors
-- Physics and applications --
○Karl Leo(Tohoku Univ. TU Dresden)

(5) 15:30 - 15:55
酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ
○金子幸広・田中浩之・加藤剛久・嶋田恭博(パナソニック)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

(6) 16:10 - 16:50
[招待講演]塗布型有機半導体材料の開発
○大野 玲(三菱化学科学技研センター)

(7) 16:50 - 17:15
アリール基を置換したチオフェンオリゴマーの合成とOFET特性
○佐藤和昭・大場好弘・片桐洋史・廣瀬文彦(山形大)・荒牧晋司・酒井良正(三菱化学)・太田員正・山口裕二(山形大)

4月24日(金) 午前 (09:00~14:40)

(8) 09:00 - 09:25
結晶成長過程におけるシリコン多結晶の亜粒界発生メカニズム
○宇佐美徳隆・沓掛健太朗・藤原航三・中嶋一雄(東北大)

(9) 09:25 - 09:50
陽極酸化過程を用いた室温動作単電子トランジスタの作製
○木村康男・武藤高見・庭野道夫(東北大)

(10) 09:50 - 10:15
Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術
○半田浩之・宮本 優・齋藤英司・吹留博一・伊藤 隆(東北大)・末光眞希(東北大/JST)

(11) 10:15 - 10:40
有機ゲートを用いたSiGe/Si/SiとIGBTの試作と評価
○宮城達郎・井田雄介・鈴木貴彦・成田 克・廣瀬文彦(山形大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(12) 10:50 - 11:30
[招待講演]Color Films as Organic Devices
-- Single-Crystalline Monomolecular Layers of J-Aggregated Dyes --
○Tadaaki Tani(FUJIFILM Corp.)

(13) 11:30 - 11:55
機能性高分子ナノシートのベクトル的電子移動を用いた光・電子機能発現 ~ 論理素子・メモリー素子への応用 ~
○松井 淳(東北大/JST)・島田友華・三ツ石方也(東北大)・青木 純(名工大)・宮下徳治(東北大)

−−− 昼食 ( 65分 ) −−−

(14) 13:00 - 13:25
赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング
○齋藤英司・末光眞希(東北大)

(15) 13:25 - 13:50
パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長
○村重正悟・松本光正・稲吉陽平・末光眞希(東北大)・中嶋節男・上原 剛(積水化学)・豊島安健(産総研)

(16) 13:50 - 14:15
酸化チタンナノチューブの色素増感太陽電池への応用とその評価
○小島領太・石橋健一・木村康男・庭野道夫(東北大)

(17) 14:15 - 14:40
界面制御による色素増感太陽電池の高効率化
○吉田洋大・始閣雅也・栗林幸永・鈴木貴彦・成田 克・廣瀬文彦(山形大)

一般講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演:発表 30 分 + 質疑応答 10 分

◎4月23日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。


☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

5月14日(木)~15日(金) 豊橋技科大サテライトオフィス [3月19日(木)] テーマ:結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)
6月11日(木)~12日(金) 東京工業大学 [4月15日(水)] テーマ:半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般
6月24日(水)~26日(金) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [4月10日(金)] テーマ:第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009)
7月30日(木)~31日(金) 大阪大学(銀杏会館) [5月23日(土)] テーマ:センサーデバイス,MEMS,一般

【問合先】
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-mail: aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E-mail : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E-mail : oba


Last modified: 2009-02-23 22:04:00


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