12月13日(金) 午前
09:00 - 18:00 |
| (1) |
09:00-09:20 |
パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 |
○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川 哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田 守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
| (2) |
09:20-09:40 |
高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 |
○吉嗣晃治・梅原智明・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
| (3) |
09:40-10:00 |
多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ |
○大山翔平・松村 篤・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (4) |
10:00-10:20 |
インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 |
○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷 あゆみ・石河泰明・冬木 隆（奈良先端大） |
| (5) |
10:20-10:40 |
キャリア再結合抑制効果を持つ電界効果型薄膜太陽電池 |
○若宮彰太・小林孝裕・松尾直人・部家 彰（兵庫県立大） |
| (6) |
10:40-11:00 |
レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 |
○山本悠貴・西村英紀・岡村隆徳・福永圭吾・冬木 隆（奈良先端大） |
| (7) |
11:00-11:20 |
リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 |
○岡村隆徳・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人） |
| (8) |
11:20-11:40 |
Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発 |
○井上雅志・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (9) |
11:40-12:00 |
スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT |
○目黒達也・原 明人（東北学院大） |
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12:00-13:00 |
休憩 （ 60分 ） |
| (10) |
13:00-13:30 |
［招待講演］BLDA(青色半導体ダイオードアニール)によるSi薄膜結晶化と応用 |
○野口 隆・岡田竜弥（琉球大） |
| (11) |
13:30-13:50 |
軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 ～ 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 ～ |
○草壁 史・丸山裕樹・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・伊藤和博・高橋 誠（阪大） |
| (12) |
13:50-14:10 |
軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発 |
○部家 彰・草壁 史・丸山裕樹・松尾直人・神田一浩（兵庫県立大）・野口 隆（琉球大） |
| (13) |
14:10-14:40 |
［招待講演］抵抗変化メモリにおける動作特性制御法としての「細孔エンジニアリング」の提案 |
○木下健太郎（鳥取大/TEDREC）・長谷川 祥（鳥取大） |
| (14) |
14:40-15:00 |
Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響 |
○長谷川 祥・榎本雄太郎・片田直伸・伊藤敏幸・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） |
| |
15:00-15:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (15) |
15:10-15:40 |
［招待講演］グラフェン誘導体表面に構築したオンチップ型FRETアプタセンサ |
○上野祐子・古川一暁（NTT） |
| (16) |
15:40-16:00 |
第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memory (CB-RAM)における金属拡散機構の解明 |
○由良 翔（鳥取大）・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・中田謙吾・石井 晃（鳥取大）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC） |
| (17) |
16:00-16:20 |
遷移金属酸化物抵抗変化メモリのデータリテンション特性 |
○吉原幹貴・緒方涼介・村山直寛（鳥取大）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC） |
| (18) |
16:20-16:40 |
誘電体厚膜の形成とプロトンビームによる直接パターニング |
○渡辺和貴・山口正樹・西川宏之（芝浦工大） |
| (19) |
16:40-17:00 |
長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 |
○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） |
| (20) |
17:00-17:20 |
界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 |
○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） |
| (21) |
17:20-17:40 |
コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価 |
○中澤成哉・南園悠一郎・須田 淳・木本恒暢（京大） |
| (22) |
17:40-18:00 |
三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化 |
○堀 良太・畑山智亮・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） |
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