10月29日(木) 午後
14:00 - 19:45 |
| (1) |
14:00-14:30 |
n+-、p+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ |
○中尾幸久・黒田理人・田中宏明・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） |
| (2) |
14:30-15:00 |
2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 |
○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） |
| (3) |
15:00-15:30 |
ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成 |
○佐野貴洋・大西峻人・大見俊一郎（東工大） |
| (4) |
15:30-16:00 |
3次元チップ積層のためのウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術 |
○吉川和博・大橋朋貢・吉田達朗・根本剛直・大見忠弘（東北大） |
| |
16:00-16:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (5) |
16:15-16:45 |
Tribological Study for Low Shear Force CMP Process on Damascene Interconnects |
○Xun Gu・Takenao Nemoto（Tohoku Univ.）・Yasa Adi Sampurno（Univ. of Arizona/Araca,Inc.）・Jiang Cheng・Sian Theng（Araca,Inc.）・Akinobu Teramoto（Tohoku Univ.）・Ricardo Duyos Mateo・Leonard Borucki（Araca,Inc.）・Yun Zhuang・Ara Philipossian（Univ. of Arizona/Araca,Inc.）・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） |
| (6) |
16:45-17:15 |
SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性 |
○阿部俊幸・田主裕一朗・黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大） |
| (7) |
17:15-17:45 |
大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 |
○藤澤孝文・阿部健一・渡部俊一・宮本直人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） |
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17:45-19:45 |
懇親会 （ 120分 ） |
10月30日(金) 午前
09:30 - 16:15 |
| (8) |
09:30-10:00 |
ルミネッセンス計算化学による共役系高分子中のキャリア移動の解析 |
○山下 格・芹澤和実・大沼宏彰・鈴木 愛・三浦隆治・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） |
| (9) |
10:00-10:30 |
プラズマディスプレイ用電極保護膜の高性能化に向けた計算機シミュレーション |
○芹澤和実・大沼宏彰（東北大）・菊地宏美（東北大/広島大）・末貞和真・北垣昌規（広島大）・山下 格・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司（東北大）・梶山博司（広島大）・宮本 明（東北大） |
| (10) |
10:30-11:00 |
量子化学計算とQSPR法とによるEu2+付活蛍光体の発光ピーク波長予測 |
○大沼宏彰・山下 格・芹澤和実・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） |
| (11) |
11:00-11:30 |
Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures |
○Young-Uk Song・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech.） |
| (12) |
11:30-12:00 |
ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化 |
○田主裕一朗・河野陽輔・黒木伸一郎・小谷光司（東北大）・村 直美・山上公久・古村雄二（フィルテック）・伊藤隆司（東北大） |
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12:00-13:00 |
昼食 （ 60分 ） |
| (13) |
13:00-13:30 |
SiO2膜におけるRIEダメージの修復 |
○川田宣仁・永嶋賢史・市川 徹・赤堀浩史（東芝） |
| (14) |
13:30-14:00 |
Low frequency noise in Si(100) and Si(110) p-channel MOSFETs |
○Philippe Gaubert・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） |
| (15) |
14:00-14:30 |
低温形成SiO2膜の電気的特性向上に関する検討 |
○永島幸延・赤堀浩史（東芝） |
| |
14:30-14:45 |
休憩 （ 15分 ） |
| (16) |
14:45-15:15 |
原子レベルでの半導体単結晶表面の湿式エッチング過程 |
○板谷謹悟・小林慎一郎・文 鋭・湊 丈俊（東北大） |
| (17) |
15:15-15:45 |
自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面酸窒化シミュレーション |
○坪井秀行・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） |
| (18) |
15:45-16:15 |
ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究 |
○諏訪智之・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室隆桂之・加藤有香子（高輝度光科学研究センター） |
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