6月22日(金) 午後 特別招待講演（地下３階研修１号室）
13:00 - 14:05 |
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13:00-13:05 |
開会挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
13:05-14:05 |
[特別招待講演]半導体レーザ５０周年に際して
○末松安晴（東工大） |
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14:05-14:15 |
会場移動、休憩 （ 10分 ） |
6月22日(金) 午後 酸化物、酸化物エレクトロニクス、一般（地下３階研修２号室）
14:15 - 17:50 |
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14:15-14:20 |
開会挨拶 （ 5分 ） |
| (2) |
14:20-14:45 |
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて成長したZnO/a-Al2O3膜の電気伝導特性 ～ 二層モデルによる解析 ～ |
○永冨瑛智・山口直也・加藤孝弘（長岡技科大）・梅本宏信（静岡大）・安井寛治（長岡技科大） |
| (3) |
14:45-15:10 |
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 ～ スパッタ法によるバッファー層挿入効果 ～ |
○小柳貴寛・里本宗一・佐藤 魁・加藤孝弘（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大） |
| (4) |
15:10-15:35 |
コンタクトエピタキシャル法による酸化物結晶薄膜の形成 |
○野毛 悟・小西顕太（沼津高専） |
| (5) |
15:35-16:00 |
塩化亜鉛を原料に用いた溶液成長法によるZnOナノロッドの成長と形状制御 |
○寺迫智昭・村上聡宏（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・白方 祥（愛媛大） |
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16:00-16:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (6) |
16:10-16:35 |
ZnOナノロッドアレイを用いた横方向電界印加型発光デバイスのカソード電極材料と形状の検討 |
○山崎敬太・佐藤知正・平手孝士（神奈川大） |
| (7) |
16:35-17:00 |
バイモルフ複合体アクチュエータ |
○丸山弘貴・細田祐樹・番場教子・深海龍夫（信州大） |
| (8) |
17:00-17:25 |
プリント基板から発生する相互変調ひずみ測定の高感度化 |
○齋藤健介・石橋大二郎・久我宣裕（横浜国大） |
| (9) |
17:25-17:50 |
ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ～ 加振機構の特性に関する基礎的検討(22) ～ |
○和田真一・越田圭治・サインダー ノロブリン・益田直樹・石黒 明・柳 国男・久保田洋彰（TMCシステム）・澤 孝一郎（日本工大） |
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17:50-17:55 |
閉会挨拶 （ 5分 ） |
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