11月11日(金)
13:30 - 17:30 |
| (1) |
13:30-13:55 |
NiCr薄膜抵抗体における熱歪と抵抗温度係数(TCR)特性 |
○岩坪 聡・清水孝晃（富山県工技センター）・津幡 健・桑原大輔（北陸電気工業）・谷野克巳（富山県工技センター） |
| (2) |
13:55-14:20 |
同時スパッタプリカーサを用いたCZTS薄膜太陽電池 |
○木村亮一・神保和夫・上村 剛・山田 覚・ウィン シュウ マウ・片桐裕則（長岡高専） |
| (3) |
14:20-14:45 |
溶融法によるCu2ZnSnS4結晶の作製 |
○島田聡郎・大石耕一郎・神保和夫・片桐裕則・荒木秀明・吉田 理・山崎 誠（長岡高専）・小林敏志・坪井 望（新潟大） |
| (4) |
14:45-15:10 |
Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 ～ Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて ～ |
○原島正幸・金丸哲史・加藤有行・荻原智明・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大） |
| (5) |
15:10-15:35 |
プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価 |
○山口哲生・劉 穎慎・石田芳樹・山上朋彦・林部林平・阿部克也・上村喜一（信州大） |
| |
15:35-15:50 |
休憩 （ 15分 ） |
| (6) |
15:50-16:15 |
Preparation and Magnetic Properties of Hexagonal Ferrite Dot Arry |
○Akimitsu Morisako・Xiaoxi Liu（Shinshu Univ.） |
| (7) |
16:15-16:40 |
自己平坦化法によるBi-2212スタックの作製 |
○鈴木光夫・ファチャムルン ラッタナット・余川奈保美・岡上久美・濱崎勝義（長岡技科大） |
| (8) |
16:40-17:05 |
塩酸で改質させた高温超伝導Bi-2212単結晶表面層の物性評価 |
○余川奈保美・吉田 隆・岡上久美・末松久幸・濱崎勝義（長岡技科大）・寺島岳史・阿部浩也（阪大） |
| (9) |
17:05-17:30 |
スタック型Bi-2212ジョセフソンデバイスの温度特性 |
○ファチャムルン ラッタナット・鈴木光夫・余川奈保美・岡上久美・濱崎勝義（長岡技科大） |
11月12日(土)
09:00 - 13:25 |
| (1) |
09:00-09:25 |
MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果 |
○永井泰彦・三輪浩士・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
| (2) |
09:25-09:50 |
Growth and Characterization of MOVPE InN Films on Bulk GaN Substrate |
○Wen-Jun Wang・Hiroshi Miwa・Yasuhiko Nagai・Akihiro Hashimoto・Akio Yamamoto（Univ. of Fukui） |
| (3) |
09:50-10:15 |
ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果 |
○宮西正芳（福井大）・高橋尚也（福井高専）・小林隆弘（福井大）・高山勝己（福井高専）・南保幸男（日華化学）・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
| (4) |
10:15-10:40 |
3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長 |
○趙 明秀・小林隆弘・澤崎尚樹・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） |
| (5) |
10:40-11:05 |
3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 ～ 基板表面の窒化処理効果 ～ |
○澤崎尚樹・小林隆弘・趙 明秀・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） |
| |
11:05-11:20 |
休憩 （ 15分 ） |
| (6) |
11:20-11:45 |
ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 ～ ヒドラジン一水和物添加の効果 ～ |
○蛭田賢和・小林敏志・坪井 望・金子双男（新潟大） |
| (7) |
11:45-12:10 |
Investigations of the structural deformations in Si/SiGe films by AFM and HRXRD |
○Shuqi Zheng・M. Kawashima・Masayuki Mori・Toyokazu Tambo・C. Tatsuyama（Toyama Univ.） |
| (8) |
12:10-12:35 |
パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討 |
○星 陽一・國芳祐二（東京工芸大）・神谷 攻（キヤノン）・清水英彦（新潟大） |
| (9) |
12:35-13:00 |
低電圧スパッタ法によるYBCO薄膜の作製及び評価 |
○岡田好正・清水英彦・森 貴志・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星 陽一（東京工芸大）・丸山武男（新潟大） |
| (10) |
13:00-13:25 |
有機EL素子用ITO薄膜の作製と検討 |
○槻尾浩一・竹内正樹・森下和哉・清水英彦・丸山武男・川上貴浩（新潟大）・星 陽一（東京工芸大） |
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