Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2018] | [2019] | [2020] | [2021] | [2022] | [2023] | [2024] | [Japanese] / [English]
ED2023-1
［招待講演］フレキシブル基板上に室温成膜した酸化亜鉛薄膜の繰返し曲げ耐久試験
○前元利彦・大浦紀頼・和田英男・小山政俊・佐々誠彦・藤井彰彦（阪工大）
pp. 1 - 6
ED2023-2
自己発電型生体センサのためのZnOナノロッドを用いたフレキシブル熱電材料の開発
○池田浩也・藤原直樹・加藤晃基・下村 勝・早川泰弘（静岡大）・山川俊貴・池田和司（奈良先端大）
pp. 7 - 10
ED2023-3
近赤外自由電子レーザ照射によってシリコン基板上に形成された微細周期構造(LIPSS)
○星野陽太・野平真義・岩田展幸（日大）
pp. 11 - 15
ED2023-4
粘菌型最適化を用いた4脚自律ロボットにおける動作制約と歩行行動の関係
○松田一希・葛西誠也（北大）
pp. 16 - 19
ED2023-5
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価
○加藤一朗・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大）
pp. 20 - 23
ED2023-6
Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル緩衝層の効果
○古家聖輝・葛谷樹矢・Jose A. Piedra-Lorenzana・飛沢 健・山根啓輔・石川靖彦（豊橋技科大）
pp. 24 - 27
ED2023-7
n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価
○髙津 海・久保広太・佐藤威友（北大）
pp. 28 - 31
ED2023-8
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの集積化に向けた素子分離技術の検討
○赤松龍弥・秋良芳樹・岡田 浩（豊橋技科大）
pp. 32 - 35
ED2023-9
AlN film by reactive sputtering as a stressor for Ge photonic devices on Si
○Jose A. Piedra-Lorenzana・Shohei Kaneko・Takaaki Fukushima・Keisuke Yamane（Toyohashi Univ. Tec.）・Junichi Fujikata（Tokushima Univ.）・Yasuhiko Ishikawa（Toyohashi Univ. Tec.）
pp. 36 - 39
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．