Online edition: ISSN 2432-6380
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MW2023-157
GaAs半導体プロセスにおけるウエハ反りの低減
○西澤弘一郎（三菱電機）・松本 歩・福室直樹（兵庫県立大）・中川康幸・日坂隆行・佐久間 仁・小島善樹（三菱電機）・八重真治（兵庫県立大）
pp. 1 - 3
MW2023-158
MOCVD法におけるシミュレーションを活用したGaN成長条件の最適化
○吉岡尚輝・畠中 奨・野々田亮平・小島善樹（三菱電機）
pp. 4 - 6
MW2023-159
低周波Yパラメータ（Y11、Y22）を利用したGaN HEMTのトラップ評価
○大石敏之・高田 栞（佐賀大）・久樂 顕・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）
pp. 7 - 10
MW2023-160
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析
○南條拓真・清井 明・今澤貴史・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大）
pp. 11 - 14
MW2023-161
ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMTの開発
○白柳裕介（三菱電機/熊本大）・友久伸吾（三菱電機）・笠村啓司・豊田洋輝（熊本大）・松前貴司・倉島優一・高木秀樹（産総研）・久保田章亀（熊本大）・長永隆志（三菱電機）
pp. 15 - 18
MW2023-162
5G Massive MIMO基地局向け高出力GaN電力増幅器モジュール
○本田 慧・松下晃生・寺西絵理・嘉藤勝也・坂田修一・山本和也・國井徹郎（三菱電機）
pp. 19 - 22
MW2023-163
送受信アンテナ間の減結合回路設計
○TAN Zhi Earn・高木雅也（豊橋技科大）・佐伯洋昌（村田製作所）・田村昌也（豊橋技科大）
pp. 23 - 28
MW2023-164
ボックス形結合を用いた有極マイクロストリップダイプレクサの設計
○西山勇大・大平昌敬・馬 哲旺（埼玉大）
pp. 29 - 34
MW2023-165
B5G/6Gのためのバーニア抵抗網によるデジタル線形制御可能なベクトル合成型移相器
○今西 蓮・野坂秀之（立命館大）
pp. 35 - 40
MW2023-166
水素終端ダイヤモンドFETの高周波特性の温度特性評価とモデリング
○古市朋之・唐澤風海人（東北大）・川島宏幸・若井知子（大熊DD）・桝村匡史（北大）・山口卓宏（大熊DD）・金子純一（北大）・梅沢 仁（大熊DD）・末松憲治（東北大）
pp. 41 - 46
MW2023-167
RFID部分義歯管理システムにおける体内通信時の検知可能範囲の評価
○高寺裕二・古市朋之（東北大）・本良瑞樹（静岡理工科大）・末松憲治（東北大）
pp. 47 - 51
MW2023-168
6ポートリフレクトメータ型VNAを構成する90度ハイブリッドとパワーディバイダの目標特性の検討
○椿 葉・牛山太陽・小野 哲（電通大）
pp. 52 - 57
MW2023-169
パッシブロードプル測定における校正と検証についての一考察
○丹波憲之・原 信二（名大）
pp. 58 - 62
MW2023-170
QPSK変調信号を基準信号源に用いた透過係数の測定
○吉田 信（シーデックス）・矢加部利幸（マルチポート研）
pp. 63 - 68
MW2023-171
大口径の終端開放同軸線路と容量法によるMHz帯での電解質溶液の誘電率測定
○柴田幸司（八戸工大）
pp. 69 - 74
MW2023-172
［招待講演］Beyond 5Gに向けたフェーズドアレーアンテナ装置の研究
○加保貴奈・宗 秀哉・松永高治（湘南工科大）
pp. 75 - 80
MW2023-173
［招待講演］InP化合物半導体を用いた光通信/無線通信用超高速アナログフロントエンドIC技術
○徐 照男・長谷宗彦・濱田裕史・脇田 斉・アブド イブラヒム・来山大祐・パンダー アダム・白鳥悠太・武藤美和・堤 卓也・高橋宏行（NTT）
pp. 81 - 86
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．