Online edition: ISSN 2432-6380
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MW2023-126
1ポートCRLH線路を用いて広帯域で高調波処理を施した1.8-2.2GHz帯逆E級高出力増幅器
○川島雪永・田中愼一（芝浦工大）
pp. 1 - 6
MW2023-127
T型スタブを用いたデュアルバンド非対称ドハティ増幅器
○髙木裕貴・太田喜元（ソフトバンク）
pp. 7 - 12
MW2023-128
Tee-line networkを用いた5G向けKa帯高効率広帯域GaN MMICドハティ増幅器
○中谷圭吾・山口祐太郎・金谷 康・平井暁人（三菱電機）
pp. 13 - 18
MW2023-129
電荷再利用型トランジスタ制御機構を用いたGaNHEMTによるリーマンポンプ型RF-DAC
○淵辺悠太・坂田修一・小松崎優治・新庄真太郎（三菱電機）
pp. 19 - 22
MW2023-130
4.3Vppの出力電圧とパルス幅制御機能を備えた高速GaN スイッチング型エンベロープ増幅器用45nm SOI-CMOSドライバ回路
○竹添慎司・森野芳昭・坂田修一・山本 航・齋木研人・平井暁人（三菱電機）
pp. 23 - 26
MW2023-131
コルゲーション構造による曲率を持つメタマテリアル線路の非相反性増大の実験的検証
○大島幹矢・上田哲也（京都工繊大）
pp. 27 - 32
MW2023-132
丸棒誘電体試料の複素誘電率評価用 - 100 GHz帯TM010モード空洞共振器の開発
○高橋駿平・清水隆志（宇都宮大）
pp. 33 - 36
MW2023-133
量子ビット駆動用偶高調波直交ミクサMMIC
○大森裕介・伊藤洸介・道下剛明・平井 司・津留正臣・坂井尚貴（金沢工大）・森榮真一・塩見英久・根来 誠（阪大）・伊東健治（金沢工大）
pp. 37 - 42
MW2023-134
負荷インピーダンス最適化を用いた280GHz帯4次高調波ミキサ
○平井暁人（三菱電機）・津久井裕基（三菱電機エンジニアリング）・横溝真也（三菱電機）・坂巻 亮（産総研）・池田 翔（三菱電機）
pp. 43 - 48
MW2023-135
誘電体レンズ中継器を用いたOAM多重通信の通信距離拡張
○内田海斗・斉藤 昭・本城和彦・石川 亮（電通大）
pp. 49 - 53
MW2023-136
パラボロイドとループアンテナアレイを用いた ビームステアリングによる一対多遠距離OAM多重通信
○北山観行・斉藤 昭・本城和彦・石川 亮（電通大）
pp. 54 - 58
MW2023-137
ドローンの操縦信号傍受による位置推定の検討
○柴田大樹・亀井利久（防衛大）
pp. 59 - 64
MW2023-138
直列共振コイルを用いる高感度ダイオード整流器に関する理論および実験的検討
○照井隆史・田中愼一（芝浦工大）
pp. 65 - 70
MW2023-139
ゲートバイアス制御用整流器を用いた広ダイナミックレンジ高効率GaN HEMT整流器システムに関する研究
○長田多喜・山崎 純・本城和彦・石川 亮（電通大）
pp. 71 - 75
MW2023-140
出力DC電圧降圧用多段スタック形マイクロ波整流器
○廣瀬裕也・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）
pp. 76 - 80
MW2023-141
インピーダンス変成ループアンテナを用いる 28GHz帯 SOI-CMOS 高感度 レクテナMMIC
○遁所雄大・角谷直哉・小林章伸・平井 司・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）
pp. 81 - 86
MW2023-142
サブテラヘルツ帯GaN-HEMT向け高スケーリング精度を有する分布型モデル
○山口裕太郎・久樂 顕・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・宮本恭幸（東工大）
pp. 87 - 91
MW2023-143
マイクロ波帯誘電体共振器の温度特性の評価
○藤原康平・近藤 崇（都立産技研センター）・溝尻 征・栁沼和也（Pale Blue）・原 信二・丹波憲之（名大）
pp. 92 - 97
MW2023-144
24GHz帯におけるドップラーセンサを用いた鉄筋コンクリート構造物内の腐食度検知に向けた測定条件に関する検討
○渡邉泰成・須賀良介（青学大）
pp. 98 - 102
MW2023-145
バラクタダイオードを用いた28GHz帯異常反射RISの反射2次元反射ビーム走査特性
○米村一真・中田陽介（阪大）・加藤悠人（産総研）・真田篤志（阪大）
pp. 103 - 107
MW2023-146
6G応用のための伸縮性基板を用いた140GHz帯動的完全異常反射メタサーフェスの反射特性
○関 健斗・米村一真（阪大）・加藤悠人（産総研）・真田篤志（阪大）
pp. 108 - 112
MW2023-147
同軸給電の終端開放遮断円筒導波管と容量法による液体の複素誘電率測定
○柴田幸司（八戸工大）
pp. 113 - 118
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．