Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2021-44
［招待講演］シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違
○三谷祐一郎（東京都市大）
pp. 1 - 4
SDM2021-45
スパッタリング法を用いて形成した酸化ガリウム薄膜の基礎評価
○今泉文伸（小山高専）
pp. 5 - 7
SDM2021-46
A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications
○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.）
pp. 8 - 11
SDM2021-47
界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討
○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大）
pp. 12 - 15
SDM2021-48
A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation
○Pyo Jooyoung・Ihara Akio・Ohmi Shun-ichiro（Tokyo Tech.）
pp. 16 - 19
SDM2021-49
［招待講演］シリコン量子コンピュータに向けたデバイス・集積化技術
○森 貴洋（産総研）
p. 20
SDM2021-50
TMRセンサの高感度化と生体計測への応用
○大兼幹彦（東北大）
pp. 21 - 22
SDM2021-51
電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測
○齊藤宏河・鈴木勇人・朴 賢雨・黒田理人（東北大）・寺本章伸（広島大）・諏訪智之・須川成利（東北大）
pp. 23 - 26
SDM2021-52
トランジスタ構造・動作領域・キャリア走行方向によるRTN挙動の統計的解析
○秋元 瞭・黒田理人・間脇武蔵・須川成利（東北大）
pp. 27 - 32
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．