電子情報通信学会技術研究報告

Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 120, Number 354

マイクロ波

開催日 2021-01-29 / 発行日 2021-01-22

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目次

MW2020-80
電磁界結合型2分の1波長共振器フィルタの設計理論に関する研究
○二ッ矢幹基・石崎俊雄(龍谷大)
pp. 1 - 6

MW2020-81
複数放射素子・複数共振器で構成される3直交軸成分放射60 GHz帯平面アンテナの測定評価
○大平昌敬・馬 哲旺(埼玉大)
pp. 7 - 12

MW2020-82
異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converterの試作結果
○森野芳昭・津留正臣(三菱電機)
pp. 13 - 16

MW2020-83
2周波混合ベクトル合成型移相器を用いたV帯受信RFICの試作結果
○横溝真也・森野芳昭・津留正臣(三菱電機)
pp. 17 - 21

MW2020-84
HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価
○越智亮太(北大)・前田瑛里香(芝浦工大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀(物質・材料研究機構)・塩﨑宏司(名大)・橋詰 保(北大/名大)
pp. 22 - 25

MW2020-85
異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおける2次元デバイスシミュレーションによるサイドゲート効果の解析
○伊藤海到・大石敏之(佐賀大)
pp. 26 - 29

MW2020-86
β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析
○上村崇史・中田義昭・東脇正高(NICT)
pp. 30 - 33

MW2020-87
界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化
○熊崎祐介・多木俊裕・小谷淳二・尾崎史朗(富士通/富士通研)・新井田佳孝(富士通研)・美濃浦優一(富士通/富士通研)・西森理人(富士通)・岡本直哉(富士通/富士通研)・佐藤 優・中村哲一(富士通研)・渡部慶二(富士通/富士通研)
pp. 34 - 37

MW2020-88
InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討
○谷口慶伍(東京理科大)・細谷友崇(東北大)・楳田洋太郎・高野恭弥(東京理科大)・末光哲也・佐藤 昭(東北大)
pp. 38 - 43

MW2020-89
ゲート容量負荷部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討
○竹添慎司・森野芳昭・津留正臣(三菱電機)
pp. 44 - 48

MW2020-90
[招待講演]次世代電力増幅器の高効率化技術と歪み補償技術
○山岡敦志・ホーン トーマス・江頭慶真・山口恵一(東芝)
pp. 49 - 54

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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