電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 119, Number 356

シリコン材料・デバイス

開催日 2019-12-24 / 発行日 2019-12-17

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目次

SDM2019-80
SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価
○古川暢昭・上沼睦典・石河泰明・浦岡行治(奈良先端大)
pp. 1 - 4

SDM2019-81
量子デバイスに向けた球殻状タンパク質をテンプレートとしたCuInS2ナノ粒子作製
○唐木裕馬・宮永良子・岡本尚文・石河泰明(奈良先端大)・山下一郎(阪大)・浦岡行治(奈良先端大)
pp. 13 - 16

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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