Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2015-36
N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価
○青木俊周（福井大）・谷川智之・片山竜二・松岡隆志（東北大）・塩島謙次（福井大）
pp. 1 - 4
ED2015-37
n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価
○永縄 萌・青木俊周（福井大）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
pp. 5 - 8
ED2015-38
リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
○美濃浦優一・岡本直哉・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・鎌田陽一・渡部慶二（富士通研）
pp. 9 - 13
ED2015-39
AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ
○鈴木寿一・Son Phuong Le・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih（北陸先端大）
pp. 15 - 20
ED2015-40
X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価
○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）
pp. 21 - 24
ED2015-41
SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性
○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 25 - 29
ED2015-42
有機強誘電体を用いたMFS型ダイヤモンドFETの形成
柄谷涼太・古市浩幹（金沢大）・中嶋宇史（東京理科大）・徳田規夫・○川江 健（金沢大）
pp. 31 - 34
ED2015-43
In-plane electrical properties of MnAs/InAs/GaAs(111)B heterostructures
○Md Earul Islam・Cong Thanh Nguyen・Masashi Akabori（JAIST）
pp. 35 - 38
ED2015-44
再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス
○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大）
pp. 39 - 44
ED2015-45
AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性
○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大）
pp. 45 - 49
ED2015-46
共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ
○前澤宏一・角谷祐一郎・中山大周・田近拓巳・森 雅之（富山大）
pp. 51 - 55
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．