Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2013-99
［招待講演］2013 SISPADレビュー ～ 輸送，信頼性 ～
○森 伸也（阪大）
pp. 1 - 4
SDM2013-100
［招待講演］2013 SISPADレビュー ～ 併設ワークショップ1 ～
○植松真司（慶大）
pp. 5 - 8
SDM2013-101
［招待講演］計算科学に基づく電子デバイス設計の現状
○白石賢二（名大）
pp. 9 - 14
SDM2013-102
低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション
○金村貴永・加藤弘一・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明（東芝）
pp. 15 - 20
SDM2013-103
窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響
○園田賢一郎・佃 栄次・谷沢元昭・石川清志・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 21 - 26
SDM2013-104
［招待講演］シリコントライゲートナノワイヤトランジスタの低周波ノイズ特性解析
○齋藤真澄・太田健介・田中千加・沼田敏典（東芝）
pp. 27 - 30
SDM2013-105
［招待講演］量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション
○鍾 菁廣・小田中紳二（阪大）
pp. 31 - 36
SDM2013-106
シリコンナノワイヤトランジスタの解析的ドレイン電流モデルとデバイス設計
○田中千加・萩島大輔（東芝）・内田 建（慶大）・沼田敏典（東芝）
pp. 37 - 42
SDM2013-107
DIBL効果を取り入れた弾道・準弾道GAA-MOSFSETのコンパクトモデル
○程 賀（名大）・宇野重康（立命館大）・中里和郎（名大）
pp. 43 - 48
SDM2013-108
Pt/TiO2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証
○大村泰久・近藤祐介（関西大）
pp. 49 - 54
SDM2013-109
Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル
大村泰久・○佐藤大貴・佐藤伸吾（関西大）・Abhijit Mallik（カルカッタ大）
pp. 55 - 60
SDM2013-110
ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション ～ 不純物散乱と遮蔽の影響の考察 ～
○植田暁子（筑波大）・Mathieu Luisier（チューリッヒ工科大）・吉田勝尚・本多周太・佐野伸行（筑波大）
pp. 61 - 64
SDM2013-111
ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
○大森正規・木場隼介・前川容佑（神戸大）・土屋英昭（神戸大/JST）・鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・小川真人（神戸大）
pp. 65 - 70
SDM2013-112
モンテカルロ法を用いたSiナノ構造の熱電変換性能に関する解析
○インドラ ヌル アディスシロ・久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST）
pp. 71 - 76
SDM2013-113
MOSFETの1/f雑音におけるHoogeパラメータの統合モデル
○大村泰久（関西大）
pp. 77 - 82
SDM2013-114
Impacts of Channel Doping on Random Telegraph Signal Noise and Successful Noise Suppression by Mobility Enhancement
○Jiezhi Chen・Yusuke Higashi・Izumi Hirano・Yuichiro Mitani（Toshiba）
pp. 83 - 86
SDM2013-115
MOSFETの実効チャネル長の再考
○寺田和夫・讃井和彦・辻 勝弘（広島市大）
pp. 87 - 91
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．