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平成１５年３月　シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ）プログラム
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専門委員長 徳光永輔 　　副委員長 渡辺重佳
幹事 赤澤正道・浅野種正 幹事補佐 平谷正彦
●日時　：　平成15年3月18日（火）　9:55〜18:25
●会場　：　機械振興会館　B3-1
●議題　：　「強誘電体薄膜とデバイス応用」


−プログラム−

９：５５-１０：００　（Opening Remark）

−デバイス/回路動作−

１０：００-１０：４０
１．4Mbit混載メモリ用 0.18um FRAMプロセスの開発（招待講演）
○堀井義正、松浦克好、彦坂幸信、小室玄一、恵下隆　(富士通株式会社）
伊藤昭男、倉澤正樹、丸山研二　(富士通研究所)

１０：４０-１１：０５
２．SBT膜と新構造スタックセルを用いた4Mb FeRAM
○林孝尚、五十嵐泰史、猪股大介、一森高示、三橋敏郎、足利欣哉、伊東敏雄、吉丸正樹（沖電気工業（株））、
長田昌也、御手洗俊、後醍院弘典、長浜勉、磯辺千春、守屋博之、庄子光治、伊藤康幸、黒田英明、佐々木正義　（ソニー（株））

１１：０５-１１：３０
３．低電圧用センスアンプによるＦｅＲＡＭの開発
○遠藤　徹、中林謙一、伊藤昭男、中澤光晴、森田敬三、平山智久、福士　 功、川嶋将一郎 （富士通株式会社）

１１：３０-１１：５５
４．1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案
○金　玄秀、山本修一郎、石原宏 (東工大)

（昼食）

１：００-１：２５
５．強誘電体不揮発性ロジック素子
○藤森敬和、中村　孝、高須秀視　 （ローム株式会社）
木村啓明、羽生貴弘、亀山充隆　 （東北大学）

１：２５-１：５０
６．強誘電体ゲートFETを用いたCMFS論理回路の検討
○佐藤陽亮、羽路伸夫　 （横浜国立大学）

−物性、成膜、加工、プロセス−

１：５０-２：３０
７．Si置換強誘電体酸化物の結晶構造、物性と強誘電体特性　（招待講演）
○井手本　康、小浦延幸　 （東京理科大学）

（休憩）

２：４５-３：１０
８．減圧仮焼成プロセスによるBLT薄膜強誘電特性の大幅向上
○藤崎芳久、 (素子協、東工大フロンティア)、井関邦江、石原宏　(東 工大)

３：１０-３：３５
９．パルスレーザ蒸着法によるPt上への(Ba,Sr)TiO3薄膜の多段階成膜
○佐藤公彦、廣地竜之、荒川太郎、羽路伸夫　（横浜国立大学）

３：３５-４：００
１０．原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の特性
○山口正樹（芝浦工業大学）、増田陽一郎（八戸工業大学）

４：００-４：２５
１１．MFIS構造のRTAによる保持特性の改善
○野田　実、西村　啓二、高橋　光恵、奥山　雅則 (大阪大学)

（休憩）

４：４０-５：０５
１２．超臨界法による強誘電体薄膜の形成
○木島　健、濱田泰彰、柄沢潤一、大橋幸司、名取栄治、下田達也 （セイコーエプソン株式会社）

５：０５-５：３０
１３． MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性
○野々村　哉,、藤沢　浩訓、清水　勝、丹生　博彦　 (姫路工業大学)
本田　耕一郎　（ (株)富士通研究所）

５：３０-５：５５
１４．Flash-MOCVD強誘電体薄膜形成装置の基礎と量産化技術
○都田昌之、上村大樹、高橋　匠、縄野真人　 (山形大学)
梅田　優、楠原昌樹 ((株)渡辺商行)、　矢元久良、深川　満、庄司正文 ((株) ワコム電創)

５：５５-６：２０
１５． 強誘電体キャパシタの高温エッチング開発
○遠藤 光広、植田 昌久、鄒 紅コウ　（ (株)アルバック）

６：２０-６：２５　　（Closing Remark）