| 【主 催】 |
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| 【共 催】 |
照明学会・電子情報通信学会・情報処理学会・電気設備学会
計測自動制御学会・日本電気技術者協会 各中国支部
中国・四国工学教育協会 産業教育部会 |
| 【日 時】 |
平成22 年 5月 20 日(木) 16：10〜17:40 |
| 【会 場】 |
山口大学工学部 D12 講義室
〒755-8611 宇部市常盤台2-16-1 |
| 【演 題】 |
「 GaNへテロ接合トランジスタの特長とインバータ展開 」 |
| 【講演者】 |
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
教授 橋詰 保 |
| 【概 要】 |
窒化ガリウム（GaN）に代表される窒化物半導体は、周知のように青・紫領域の発光素子を実現した材料として有名であるが、その優れた電子輸送特性も早くから注目され，高効率電力変換デバイスおよび高周波パワーデバイス研究が急ピッチで展開されている。本講演では、電子デバイス面から見たGaN系材料の物性的特徴、GaNへテロ接合トランジスタの特長と課題点、および次世代インバータへの展開について説明する。 |
| 【参加費】 |
無料 |
【事前の参加
申し込み】 |
不要 |
| 【問合先】 |
山口大学大学院理工学研究科パワーエレクトロニクス教育研究分野
教授 田中俊彦
ＴＥＬ：0836-85-9470（ダイアルイン）
ＦＡＸ：0836-85-9401
e-mail：totanaka＠yamaguchi-u.ac.jp |
